[发明专利]一种阵列式介质阻挡辉光放电装置有效

专利信息
申请号: 202111301269.X 申请日: 2021-11-04
公开(公告)号: CN114040557B 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 尤兴志;朱佳伟;兰江;李明勇;尤红 申请(专利权)人: 中船重工安谱(湖北)仪器有限公司
主分类号: H05H1/24 分类号: H05H1/24
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 高会允
地址: 443003 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 介质 阻挡 辉光 放电 装置
【权利要求书】:

1.一种阵列式介质阻挡辉光放电装置,其特征在于,包括电极引出线(1)、绝缘塑料(2)以及阵列电极(3);

所述阵列电极(3)为三根平行向电极与三根垂直向电极,设置于绝缘塑料内,其中三根平行向电极与三根垂直向电极井字形排列固定;同向三根电极尾部串联形成两根电极引出线(1);

所述电极引出线(1)延伸至绝缘塑料外部,连接驱动电路;

所述阵列电极(3)由金属丝和其外部包裹的陶瓷套管组成;

所述驱动电路包括MOS管控制电路、储能控制电路以及变压器电路;

外部输入的驱动信号包括输入Q1驱动信号FD_NP、输入Q3驱动信号FD_PP、输入Q2驱动信号FD_OFF、以及输入Q4驱动信号FD_ON;

MOS管共4个,分别为第一~第四MOS管Q1~Q4,其中Q4为NMOS管,其他均为PMOS管;

所述MOS管控制电路采用两个TC4427分别记为U10和U11,U10和U11均由12V电源供电,U10将外部输入的FD_OFF和FD_ON进行整形后分别输出OFF信号和ON信号,OFF信号和ON信号分别用于控制第二MOS管Q2和第四MOS管Q4的通断;U11将外部输入的FD_NP和FD_PP进行整形后分别输出NP信号和PP信号,NP信号和PP信号分别用于控制第一MOS管Q1和第三MOS管Q3的通断;其中ON信号串联电容C23,并被电阻R27上拉,NP、OFF、PP分别对应串联电阻R25、R26、R28后,又对应连接至PMOS管Q1、Q2、Q3的栅极;

所述储能控制电路输入电源12V经过C16、C17、L4和C18滤波后接入稳压调节器LD1058的输入管脚INPUT,其中电容C16、C17并联后一端接12V电源,另一端接地,12V电源通过电感L4接入LD1058的输入管脚INPUT,LD1058的输入管脚INPUT再通过电容C18接地;LD1058的反馈引脚1连接电阻R14、电阻R15控制输出电压的幅值,经过限流电阻R16后给第一、第二储能原件C19和C20充电,限流电阻R16处电压直接连接第四MOS管Q4的源极;

所述变压器电路包括变压器T1,变压型号为E213,MOS管Q1通过二极管D5连接到变压器5号引脚,MOS管Q3通过二极管D6连接到变压器1号引脚,MOS管Q2和Q4的漏极一起连接到变压器3号引脚;变压器T1的输出端连接所述一种阵列式介质阻挡辉光放电装置的电极引出线(1),用于为所述一种阵列式介质阻挡辉光放电装置提供驱动电压;

电容充电控制电路通过上下MOS管依次导通的时间和频率,控制变压器副边输出电压的频率和幅值;FD_NP信号为一定频率的矩形波信号,FD_NP高电平时变压器充电,低电平时变压器放电并产生振荡波形,FD_NP以一定频率交替导通关断,则变压器交替充电放电,充放电频率与FD_NP信号频率一致,通过控制FD_NP信号频率,即可控制变压器输出信号的频率;当FD_NP为高电平时,FD_PP为低电平,通过控制FD_NP的高电平时间,此时Q1导通,变压器通过3、5引脚充电,高电平时间越长,则变压器充电能量越高,关断时变压器输出信号振荡,振荡幅值与变压器充电能量成正比,通过控制FD_NP高电平时间,即可控制变压器输出电压幅值;当FD_PP为高电平时,FD_NP为低电平,过程同理,此时输出信号与之前极性相反。

2.根据权利要求1所述的一种阵列式介质阻挡辉光放电装置,其特征在于,所述变压器的中心频率应在50k~100kHz。

3.根据权利要求1所述的一种阵列式介质阻挡辉光放电装置,其特征在于,第一、第二储能原件C19和C20的电容值大于100uF。

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