[发明专利]一种UTG-QD型MINI-LED板及其应用、制备方法和光学架构

权利要求书

1.一种UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，从内至外依次包括有：UTG基板、以及均匀涂布于UTG基板出光面上的QD量子点层、覆盖于QD量子点层上的扩散层、以及覆盖于扩散层上的透明阻隔膜层或UTG层；UTG基板入光面上镀有一层铜层；铜层外表面涂布有一层二氧化钛粒子层；二氧化钛粒子层厚度为20~100μm，二氧化钛粒子层中二氧化钛粒子浓度为1~20wt %；铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔；蓝光LED灯带出光面位于开孔位置，并且蓝光LED灯带出光面与二氧化钛粒子层外表面齐平；所述UTG基板出光面上均匀阵列布满有若干个凹槽，凹槽表面均匀涂布有QD量子点；所述凹槽为倒锥形凹槽、或者是半球形凹槽；所述凹槽的大小为微米级，所有凹槽的尺寸、形状一致；

所述扩散层的材料包括1-10 wt%的二氧化硅或有机硅材料，采用狭缝涂布或者喷墨的方式在涂布于QD量子点层上涂布，室温晾干，得到所述扩散层。

2.根据权利要求1所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，倒锥形凹槽的深度为10~50μm。

3.根据权利要求1所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，所述半球形凹槽的半径为10~50μm。

4.根据权利要求1~3任意一项所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，所述QD量子点层的厚度为30~150μm。

5.根据权利要求1所述的UTG-QD型MINI-LED板，其特征在于，所述扩散层的折射率为1.365~1.455或1.5103~1.635。

6.根据权利要求1~5任意一项所述的UTG-QD型MINI-LED板的应用，其特征在于，用于制备光扩散板。

7.根据权利要求1-5任意一项所述UTG-QD型MINI-LED板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1. 在UTG基板入光面上镀上一层铜层，然后在铜层蚀刻出控制线路；

S2. 在铜层表面涂布一层二氧化钛粒子层，二氧化钛粒子层厚度为20~100μm，二氧化钛粒子层中二氧化钛粒子浓度为1~20 wt %；

S3. 在铜层和二氧化钛粒子层上开设有与蓝光LED灯带出光面大小相适配的开孔；

S4. 在UTG基板出光面通过激光加工、化学蚀刻或者贴膜的方式构建出均匀阵列布满于UTG基板外表面并且为微米级的凹槽；

S5. 采用狭缝涂布或者喷墨的方式将包含QD量子点的涂布材料涂布于UTG出光面，室温晾干，在UTG出光面形成一层QD量子点层；所述涂布材料包括1~20wt%的QD量子点，1~10wt%的二氧化钛，余下物料为树脂；

S6. 采用狭缝涂布或者喷墨的方式在QD量子点层上涂布一层扩散层，室温晾干，所述扩散层的材料包括1-10 wt%的二氧化硅或有机硅材料，余量为树脂；

S7. 在扩散层表面均匀涂一层10~20μm的OC胶，然后将透明阻隔膜粘合在一起，保护QD量子点的稳定性；或者，在扩散层表面贴覆一层UTG层，再通过激光将UTG层边缘与UTG基板边缘熔融密封粘接。

8.一种光学架构，其特征在于，它包括有：

权利要求1或权利要求5中所述的UTG-QD型MINI-LED板；

贴覆于UTG-QD型MINI-LED板中透明阻隔膜层表面、或者是UTG层表面的增光膜层；

贴覆于增光膜层表面的扩散膜层；

以及，用于将UTG-QD型MINI-LED板、增光膜层和扩散膜层锁合成光学架构的锁合件。