[发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

衬底；

下堆叠结构，所述下堆叠结构位于所述衬底上，并包括彼此分开地堆叠的下栅电极；

上堆叠结构，所述上堆叠结构位于所述下堆叠结构上，并包括彼此分开地堆叠的上栅电极；

下沟道结构，所述下沟道结构穿透所述下堆叠结构，并包括下沟道层和位于所述下沟道层上的下沟道绝缘层，所述下沟道绝缘层围绕下缝隙；以及

上沟道结构，所述上沟道结构穿透所述上堆叠结构并包括上沟道层和位于所述上沟道层上的上沟道绝缘层，所述上沟道绝缘层围绕上缝隙，

其中，所述下沟道结构包括第一沟道结构、位于所述第一沟道结构上的第二沟道结构以及位于所述第一沟道结构和所述第二沟道结构之间的弯曲部分，所述弯曲结构中的弯曲部对应于所述第一沟道结构与所述第二沟道结构之间的宽度差，

所述上沟道结构的下部部分的宽度小于所述下沟道结构的上部部分的宽度，并且

所述下缝隙的宽度大于所述上缝隙的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上沟道绝缘层的厚度大于所述下沟道绝缘层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下缝隙的体积大于所述上缝隙的体积。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下沟道绝缘层包括位于所述第一沟道结构内部的第一下沟道绝缘层和位于所述第二沟道结构内部的第二下沟道绝缘层，

所述第一下沟道绝缘层围绕所述下缝隙中的第一下缝隙，并且所述第二下沟道绝缘层围绕所述下缝隙中的第二下缝隙，以及

所述第一下缝隙的宽度大于所述第二下缝隙的宽度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二下沟道绝缘层的厚度大于所述第一下沟道绝缘层的厚度。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一下沟道绝缘层围绕所述第一下缝隙的下部部分、上部部分和侧表面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下缝隙从所述第一沟道结构的内部延伸到所述第二沟道结构的内部，并连接到所述第一沟道结构和所述第二沟道结构，并且布置在所述第一沟道结构和所述第二沟道结构之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上沟道结构的第一宽度大于所述第二沟道结构的第二宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上沟道结构的第一宽度小于所述第二沟道结构的第二宽度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上沟道结构的第一宽度与所述第二沟道结构的第二宽度基本上相同。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上沟道绝缘层包括位于所述上沟道层上的第一上沟道绝缘层和位于所述第一上沟道绝缘层上的第二上沟道绝缘层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一上沟道绝缘层包括与所述第二上沟道绝缘层中包括的材料不同的材料。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一上沟道绝缘层包括与所述第二上沟道绝缘层的材料相同的材料。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述上缝隙的上部部分、下部部分和侧表面接触所述上沟道绝缘层。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述下沟道结构包括位于所述下栅电极和所述下沟道层之间的下栅极电介质层，并且

所述上沟道结构包括位于所述上栅电极和所述上沟道层之间的上栅极电介质层。