[发明专利]数据处理方法及电子装置在审
申请号: | 202111289608.7 | 申请日: | 2021-11-02 |
公开(公告)号: | CN114020239A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 吴华强;周颖;高滨;唐建石;钱鹤 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G06F7/487 | 分类号: | G06F7/487;G06F7/498;G06F7/544 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 数据处理 方法 电子 装置 | ||
1.一种基于忆阻器阵列的数据处理方法,其中,所述忆阻器阵列包括阵列排布的多个忆阻器单元,所述方法包括:
获取待处理对象,其中,所述待处理对象包括阵列排布为m行n列的多个像素点,m和n分别为正整数;
设置所述忆阻器阵列,将所述待处理对象中的每个像素点的值映射至所述忆阻器阵列中对应的忆阻器单元;
通过所述忆阻器阵列计算所述待处理对象对应的中心坐标,其中,所述忆阻器阵列被配置为可进行乘和运算,所述中心坐标包括第一坐标和第二坐标,
其中,通过所述忆阻器阵列计算所述待处理对象对应的中心坐标,包括:
将所述多个像素点中的每个像素点的值乘以所述像素点在所述待处理对象中所在行的行编号,以得到所述像素点对应的第一乘积,由此得到m*n个第一乘积,将所述m*n个第一乘积求和以得到第一分子值,
将所述像素点的值乘以所述像素点在所述待处理对象中所在列的列编号,以得到所述像素点对应的第二乘积,由此得到m*n个第二乘积,将所述m*n个第二乘积求和以得到第二分子值;
根据所述待处理对象中的每个像素点的值,执行基准值获取操作以得到基准值;
对所述第一分子值和所述基准值的比值进行取整处理,以得到所述第一坐标;
对所述第二分子值和所述基准值的比值进行取整处理,以得到所述第二坐标。
2.根据权利要求1所述的数据处理方法,其中,对所述第一分子值和所述基准值的比值进行取整处理,以得到所述第一坐标,包括:
将所述第一分子值与所述基准值进行比较,
响应于所述第一分子值大于所述基准值,以所述基准值为基础加数执行累加操作得到累加结果,
重复所述累加操作直到所述累加结果首次大于所述第一分子值,将所述累加操作的重复次数加一作为所述第一坐标;
响应于所述第一分子值小于或等于所述基准值,确定所述第一坐标为1。
3.根据权利要求1所述的数据处理方法,其中,对所述第二分子值和所述基准值的比值进行取整处理,以得到所述第二坐标,包括:
将所述第二分子值与所述基准值进行比较,
响应于所述第二分子值大于所述基准值,以所述基准值为基础加数执行累加操作得到累加结果,
重复所述累加操作直到所述累加结果首次大于所述第二分子值,将所述累加操作的重复次数加一作为所述第二坐标;
响应于所述第二分子值小于或等于所述基准值,确定所述第二坐标为1。
4.根据权利要求2或3所述的数据处理方法,其中,所述忆阻器阵列包括M行N列,所述忆阻器阵列还包括M条字线、M条源线和N条位线,所述M条字线以及所述M条源线分别与所述M行对应,所述N条位线分别与所述N列对应,M和N为正整数且分别大于或等于m和n,
所述多个忆阻器单元中的每个在接收对应的字线所施加的开启信号被打开且在对应的位线上被施加读取电压而被读取,并且根据所述忆阻器单元中的忆阻器的阻值产生对应的读取电流,
其中,根据所述待处理对象中的每个像素点的值,执行基准值获取操作以得到基准值,包括:
将所述开启信号施加至所述m行像素点对应的m行忆阻器单元的字线,
在1个周期内,在所述n列像素点对应的n列忆阻器单元的位线施加所述读取电压,
获取所述多个像素点中的每个像素点分别对应的忆阻器单元产生的1次读取电流,以得到多个读取电流,
对所述多个读取电流进行加和处理以得到基准电流,将所述基准电流作为所述基准值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111289608.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。