[发明专利]有机发光晶体管及发光面板

说明书

本公开实施例提供一种有机发光晶体管及发光面板，其中，该有机发光晶体管包括：基底；第一栅极，位于基底的一侧；第二栅极，位于第一栅极背离基底的一侧；发光功能层，位于第二栅极背离基底的一侧，第一栅极和第二栅极在基底上的正投影覆盖发光功能层在基底上的正投影；源极，位于发光功能层背离基底的一侧；漏极，位于发光功能层背离基底的一侧；第一栅极和第二栅极在基底上的正投影覆盖源极在基底上的正投影，且覆盖漏极在基底上的正投影；第二栅极在基底上的正投影覆盖源极和漏极中的一个在基底上的正投影。本公开实施例的技术方案可以提高扩大有机发光晶体管中载流子的复合区域，从而拓宽其发光区域。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光晶体管及发光面板。

背景技术

有机发光晶体管(Organic Light-Emitting Transistor，简称OLET)是一种集成了有机场效应晶体管(Organic Field-Effect Transistor，简称OFET)的开关功能和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)的发光功能的器件。OLET具有结构简单、轻薄、易于微型化、制备工艺成熟等优点，成为了未来显示技术的发展趋势之一。但是，因为OLET中载流子的复合率较低，导致OLET的复合区域较小，从而存在发光区域窄的问题。

发明内容

本公开实施例提供一种有机发光晶体管及发光面板，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

作为本公开实施例的第一方面，本公开实施例提供一种有机发光晶体管，包括：

基底；

第一栅极，位于基底的一侧；

第二栅极，位于第一栅极背离基底的一侧；

发光功能层，位于第二栅极背离基底的一侧，第一栅极和第二栅极在基底上的正投影覆盖发光功能层在基底上的正投影；

源极，位于发光功能层背离基底的一侧；

漏极，位于发光功能层背离基底的一侧；

其中，第一栅极和第二栅极在基底上的正投影覆盖源极在基底上的正投影，且覆盖漏极在基底上的正投影；第二栅极在基底上的正投影覆盖源极和漏极中的一个在基底上的正投影。

在一种实施方式中，发光功能层包括：

第一传输层，位于第二栅极背离基底的一侧，第一栅极和第二栅极在基底上的正投影覆盖第一传输层在基底上的正投影；

第二传输层，位于第一传输层背离基底的一侧，第二传输层在基底上的正投影与第二栅极在基底上的正投影重叠；

其中，第一传输层为空穴传输层，第二传输层为电子传输层；或者，第一传输层为电子传输层，第二传输层为空穴传输层。

在一种实施方式中，电子传输层的厚度范围为15nm～50nm，空穴传输层的厚度范围为10nm～30nm。

在一种实施方式中，发光功能层还包括：发光层，位于第一传输层与第二传输层之间，发光层在基底上的正投影与第二传输层在基底上的正投影重叠。

在一种实施方式中，第一栅极在基底上的正投影覆盖第二栅极在基底上的正投影。

在一种实施方式中，第一栅极在基底上的正投影与第二栅极在基底上的正投影部分重叠。

在一种实施方式中，第二栅极在基底上的正投影位于第一栅极在基底上的正投影范围外。

在一种实施方式中，第一栅极用于输入第一电压，第二栅极用于输入第二电压，第一电压与第二电压的极性相反。

在一种实施方式中，源极和漏极的厚度范围为8nm～90nm。