[发明专利]有机发光晶体管及发光面板

权利要求书

1.一种有机发光晶体管，其特征在于，包括：

基底；

第一栅极，位于所述基底的一侧；

第二栅极，位于所述第一栅极背离所述基底的一侧；

发光功能层，所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影覆盖所述发光功能层在所述基底上的正投影，所述发光功能层包括第一传输层、第二传输层和发光层，所述第一传输层位于所述第二栅极背离所述基底的一侧，所述第二传输层位于所述第一传输层背离所述基底的一侧，所述发光层位于所述第一传输层和所述第二传输层之间，且所述发光层在所述基底上的正投影与所述第二传输层在所述基底上的正投影重叠；

源极，位于所述发光功能层背离所述基底的一侧；

漏极，位于所述发光功能层背离所述基底的一侧；

其中，所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影覆盖所述源极在所述基底上的正投影，且覆盖所述漏极在所述基底上的正投影，所述源极和所述漏极的厚度范围为8nm～10nm；

所述第二栅极在所述基底上的正投影覆盖所述源极和所述漏极中的一个在所述基底上的正投影，所述源极和所述漏极中的另一个和所述发光层均设置于所述第一传输层的背离所述基底的一侧表面上，且所述源极和所述漏极中的另一个在所述基底上的正投影与所述发光层在所述基底上的正投影无交叠，所述第一传输层在所述基底上的正投影覆盖所述源极在所述基底上的正投影、所述漏极在所述基底上的正投影以及所述发光层在所述基底上的正投影。

2.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影覆盖所述第一传输层在所述基底上的正投影；

所述第二传输层在所述基底上的正投影与所述第二栅极在所述基底上的正投影重叠；

其中，所述第一传输层为空穴传输层，所述第二传输层为电子传输层；或者，所述第一传输层为电子传输层，所述第二传输层为空穴传输层。

3.根据权利要求2所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述电子传输层的厚度范围为15nm～50nm，所述空穴传输层的厚度范围为10nm～30nm。

4.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一栅极在所述基底上的正投影覆盖所述第二栅极在所述基底上的正投影。

5.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一栅极在所述基底上的正投影与所述第二栅极在所述基底上的正投影部分重叠。

6.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第二栅极在所述基底上的正投影位于所述第一栅极在所述基底上的正投影范围外。

7.根据权利要求1所述的有机发光晶体管，其特征在于，所述第一栅极用于输入第一电压，所述第二栅极用于输入第二电压，所述第一电压与所述第二电压的极性相反。

8.一种发光面板，其特征在于，包括多个权利要求1至7中任一项所述的有机发光晶体管。