[发明专利]微显示器及其制作方法

说明书

本发明公开了一种微显示器及其制作方法。所述微显示器的制作方法包括：提供基板，所述基板具有第一表面，并且所述第一表面分布有多个自发光像素点；在所述基板的第一表面覆设波长转换层；在所述波长转换层表面覆设掩膜，所述掩膜与部分或全部的自发光像素点对应设置；采用干法刻蚀方式去除所述波长转换层未被所述掩膜保护的其余部分，从而形成波长转换矩阵。本发明通过干法刻蚀的方法来实现波长转换材料的图形化，从而获得高分辨率、高像素密度的微型显示。

技术领域

本发明特别涉及一种微显示器及其制作方法，属于微显示技术领域。

背景技术

现有技术中单色Micro-LED微显示器件的制作工艺研究有很多，制作工艺也较为成熟。全彩Micro-LED显示器的制备当前主要采用三基色LED芯片拼装，三基色拼装在巨量转移方面面临巨大的难题。

通过荧光粉光转换层、量子点色转换层方案，是实现全彩显示的一种更便捷、可行的方法。其中，荧光粉效率偏低，半峰宽大，色彩纯度不好，显示效果不佳，同时荧光粉颗粒大，不适合做像素点很小的微显示；量子点材料具有发光光谱集中，色纯度高、且发光颜色可通过量子点材料的尺寸、结构或成分进行简易调节等优点，利用这些优点将其应用在显示装置中可有效地提升显示装置的色域及色彩还原能力。

现有技术1(US9904097 B2，US8459855B2)中公开了一种波长转换矩阵的制作方法，如图1a 所示(图中11为驱动背板，121为黑色隔离墙，131为透明隔离墙，132/133为垫，141/142/143 为红绿蓝量子点薄膜)，其使用透明光刻胶搭建隔离墙结构，进而帮助限制气喷法做成的量子点薄膜的分布，具体是将波长转换材料直接涂覆在显示面板上并且实现图形化，其中，光致发光材料被分散在低粘稠度的溶剂里然后使用气喷方式打印在显示面板上。然而，由于低粘稠度溶剂的扩散作用，材料的厚度很难积累，因此光致转换不足从而影响显示质量，更多地，打印工艺要求对准精度很高并且很耗时，因此当微显示屏的分辨率和像素密度不断增加时，打印工艺的生产效率会很有问题。

如图1b所示，现有技术2(US9690135B2)中公开了先将波长转换材料涂覆在一块透明基板上并且实现图形化，然后通过倒晶封装的方法盖在显示面板上。其中，光致发光材料分散在光刻胶里并通过光刻方法来图形化，生产效率大幅提升，光转换效率也因为材料厚度的提升而提高。但是，分辨率却因为光转换材料严重的散射现象而受限，为了提升分辨率得到5um以下的图形，光致发光材料的浓度必须控制在一个较低的水平，但相应的吸收和转换特性会发生退化，因此，在这种方法中平衡分辨率和转化效率是十分有挑战性的。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种微显示器及其制作方法，以克服现有技术中的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种微显示器的制作方法，其包括：

提供基板，所述基板具有第一表面，并且所述第一表面分布有多个自发光像素点；

在所述基板的第一表面覆设波长转换层；

在所述波长转换层表面覆设掩膜，所述掩膜与部分或全部的自发光像素点对应设置；

采用干法刻蚀方式去除所述波长转换层未被所述掩膜保护的其余部分，从而形成波长转换矩阵。

本发明实施例还提供了一种微显示器，其包括：

基板，所述基板具有第一表面，并且所述第一表面分布有多个自发光像素点；

波长转换矩阵，其包括设置在所述基板的第一表面上的至少一个波长转换层，所述波长转化层包括掩膜保护区域以及干法刻蚀区域，所述掩膜保护区域对应部分或全部的自发光像素点，所述波长转化层覆设部分或全部的自发光像素点。

与现有技术相比，本发明的优点包括：