[发明专利]微显示器及其制作方法

权利要求书

1.一种微显示器的制作方法，其特征在于包括：

提供基板，所述基板具有第一表面，并且所述第一表面分布有多个自发光像素点；

在所述基板的第一表面覆设波长转换层；

在所述波长转换层表面覆设掩膜，所述掩膜与部分或全部的自发光像素点对应设置；

采用干法刻蚀方式去除所述波长转换层未被所述掩膜保护的其余部分，从而形成波长转换矩阵。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述掩膜为硬掩膜，所述硬掩膜为介电材料掩膜、光刻胶掩膜和金属掩膜中的任意一种或两种以上的组合；所述干法刻蚀方式包括物理刻蚀、化学刻蚀或者物理化学刻蚀。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于包括：先在所述基板的第一表面覆设刻蚀阻挡层，再在所述刻蚀阻挡层表面覆设波长转换层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于还包括：在所述基板的第一表面形成钝化层，所述钝化层填充所述波长转换矩阵的间隙，所述钝化层的表面与所述波长转换层的表面齐平或低于所述波长转换层的表面。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述基板的第一表面分布有多个第一自发光像素点；并且所述的制作方法还包括：

在所述基板的第一表面覆设第一波长转换层；

在所述第一波长转换层表面的预定区域设置第一掩膜，所述预定区域与所述第一自发光像素点对应设置；

采用干法刻蚀方式去除所述第一波长转换层未被所述第一掩膜保护的其余部分，从而形成所述的波长转换矩阵；其中，所述第一自发光像素点叠加第一波长转换层发射第一光波长光。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于还包括：在所述第一波长转换层上设置第一滤光层，所述第一滤光层能够使所述第一光波长光通过。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述基板的第一表面至少分布有第一自发光像素点和第二自发光像素点；并且所述的制作方法还包括：

在所述基板的第一表面覆设第一波长转换层；

在所述第一波长转换层表面的第一区域设置第一掩膜，所述第一区域与所述第一自发光像素点对应设置；

采用干法刻蚀方式去除所述第一波长转换层未被所述第一掩膜保护的其余部分；

在所述基板的第一表面覆设第二波长转换层；

在所述第二波长转换层表面的第二区域设置第二掩膜，所述第二区域与所述第二自发光像素点对应设置；

采用干法刻蚀方式去除所述第二波长转换层未被所述第二掩膜保护的其余部分，从而形成所述的波长转换矩阵；其中，所述第一自发光像素点叠加第一波长转换层发射第一光波长光，所述第二自发光像素点叠加第二波长转换层发射第二光波长光。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于：所述第一自发光像素点和第二自发光像素点所发射的光波长相同或不同，所述第一波长转换层和第二波长转换层所含的光致发光材料相同或不同，所述第一光波长光与所述第二光波长光不同。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于还包括：在所述第一波长转换层和所述第二波长转换层上分别设置第一滤光层以及第二滤光层，所述第一滤光层能够使所述第一光波长光通过；所述第二滤光层能够使所述第二光波长光通过。

10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于：所述基板的第一表面还分布有第三自发光像素点；并且所述的制作方法还包括：

在所述基板的第一表面覆设第三波长转换层；

在所述第三波长转换层表面的第三区域设置第三掩膜，所述第三区域与所述第三自发光像素点对应设置；

采用干法刻蚀方式去除所述第三波长转换层未被所述第三掩膜保护的其余部分，从而形成所述的波长转换矩阵，其中，所述第三自发光像素点叠加第三波长转换层发射第三光波长光。