[发明专利]GCPW校准件的制备方法及GCPW校准件

说明书

本发明提供一种GCPW校准件的制备方法及GCPW校准件。该方法包括：确定传输线的横截面尺寸；根据横截面尺寸和GCPW校准件对应的理论最高频率，确定过孔尺寸，多个过孔均匀设置在衬底正面的上地板上、下地板上、衬底以及衬底背面的接地金属上，且在上地板或下地板、衬底以及接地金属的位置对应，形成通孔；对横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；根据最优横截面尺寸和过孔尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值，得到GCPW校准件。本发明能够减少多模传输线影响，减小系统校准系统误差。

技术领域

本发明涉及晶原级半导体器件微波特性测量技术领域，尤其涉及一种GCPW校准件的制备方法及GCPW校准件。

背景技术

微电子行业中配备的大量“在片S参数测试系统”在使用前，需要使用在片校准件进行矢量误差修正。因此，在片S参数校准件为影响着在片矢量网络分析仪校准准确度的主要因素之一。由于校准件在低频在片领域(50GHz以下)、同轴和波导领域具有较高的准确度，因而得到了广泛的应用。

目前，校准件形式一般为共面波导(Coplanar Waveguide，CPW)，衬底材料为陶瓷，厚度一般为600μm～300μm。但随着在片测试频率逐渐进入太赫兹频段，一些在低频段可以忽略的系统误差就变得不可忽略：一方面，探针与探针之间的泄漏(也可以称为串扰)变得越来越大；另一方面，在实际生产测试过程中，太赫兹被测件的衬底一般为不大于100μm厚度的GaAs、InP等，且背面有金属，而商用校准件衬底为大于200μm厚度的陶瓷，这样校准时会产生新的系统误差，导致测试准确度有限。

发明内容

本发明实施例提供了一种GCPW校准件的制备方法及GCPW校准件，以解决现有技术中在进行校准时测试准确度不高的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种GCPW校准件的制备方法，包括：

确定传输线的横截面尺寸；

根据所述横截面尺寸和所述GCPW校准件对应的理论最高频率，确定过孔尺寸，多个过孔均匀设置在衬底正面的上地板上、下地板上、所述衬底以及所述衬底背面的接地金属上，且在所述上地板或所述下地板、所述衬底以及所述接地金属的位置对应，形成通孔；

当所述横截面尺寸以及所述过孔尺寸均满足预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；

根据所述最优横截面尺寸和所述过孔尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值，得到GCPW校准件。

在一种可能的实现方式中，所述衬底厚度与被测件的厚度相同；

所述衬底采用的材料与被测件的材料相同。

在一种可能的实现方式中，所述过孔的内壁设置金属；

内壁金属、所述接地金属、所述上地板和所述下地板采用的材质均为纯度为99％的金。

在一种可能的实现方式中，所述横截面尺寸包括所述传输线的中心导体宽度和所述中心导体到所述上地板或者所述下地板的间距；

所述根据所述横截面尺寸和所述GCPW校准件对应的理论最高频率，确定过孔尺寸，包括：

根据所述中心导体宽度和所述中心导体到所述上地板或者所述下地板的间距，确定所述上地板和所述下地板上对应位置的过孔之间的距离；

根据所述理论最高频率，确定所述上地板或者所述下地板上相邻过孔之间的距离；

设置所述过孔的直径为小于或等于100μm的长度。