[发明专利]GCPW校准件的制备方法及GCPW校准件

权利要求书

1.一种GCPW校准件的制备方法，其特征在于，包括：

确定传输线的横截面尺寸；

根据所述横截面尺寸和所述GCPW校准件对应的理论最高频率，确定过孔尺寸，多个过孔均匀设置在衬底正面的上地板上、下地板上、所述衬底以及所述衬底背面的接地金属上，且在所述上地板或所述下地板、所述衬底以及所述接地金属的位置对应，形成通孔；

当所述横截面尺寸以及所述过孔尺寸均满足预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸；

根据所述最优横截面尺寸和所述过孔尺寸进行半导体工艺加工，并对加工完成的校准件中的负载校准件的电阻进行激光修阻，对修阻后所有校准件进行定值，得到GCPW校准件。

2.根据权利要求1所述的GCPW校准件的制备方法，其特征在于，

所述衬底厚度与被测件的厚度相同；

所述衬底采用的材料与被测件的材料相同。

3.根据权利要求1所述的GCPW校准件的制备方法，其特征在于，

所述过孔的内壁设置金属；

内壁金属、所述接地金属、所述上地板和所述下地板采用的材质均为纯度为大于90％的金。

4.根据权利要求2所述的GCPW校准件的制备方法，其特征在于，所述横截面尺寸包括所述传输线的中心导体宽度和所述中心导体到所述上地板或者所述下地板的间距；

所述根据所述横截面尺寸和所述GCPW校准件对应的理论最高频率，确定过孔尺寸，包括：

根据所述中心导体宽度和所述中心导体到所述上地板或者所述下地板的间距，确定所述上地板和所述下地板上对应位置的过孔之间的距离；

根据所述理论最高频率，确定所述上地板或者所述下地板上相邻过孔之间的距离；

设置所述过孔的直径为小于或等于100μm的长度。

5.根据权利要求4所述的GCPW校准件的制备方法，其特征在于，所述根据所述中心导体宽度和所述中心导体到所述上地板或者所述下地板的间距，确定所述上地板和所述下地板上对应位置的过孔之间的距离，包括：

根据L₁＝2d+2g+w确定所述上地板和所述下地板上对应位置的过孔之间的距离；

其中，L₁表示所述上地板和所述下地板上对应位置的过孔之间的距离，d表示所述过孔与所在地板的边缘的距离，所述边缘为距离所述中心导体最近的一侧的边缘，g表示所述中心导体到所述上地板或者所述下地板的间距，w表示所述中心导体宽度。

6.根据权利要求4所述的GCPW校准件的制备方法，其特征在于，所述根据所述理论最高频率，确定所述上地板或者所述下地板上相邻过孔之间的距离，包括：

确定所述上地板或者所述下地板上相邻过孔圆心之间的距离为小于所述理论最高频率对应波长的1/4。

7.根据权利要求5所述的GCPW校准件的制备方法，其特征在于，所述当所述横截面尺寸以及所述过孔尺寸均满足所述预设校准件频率要求时，对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸，包括：

根据所述上地板和所述下地板上对应位置的过孔之间的距离，计算所述传输线的第一理论最高频率；

根据所述横截面尺寸计算所述传输线的第二理论最高频率；

当所述第一理论最高频率和所述第二理论最高频率均大于或等于所述预设校准件频率要求时，确定所述横截面尺寸满足要求；

对所述横截面尺寸进行优化，得到最优横截面尺寸。