[发明专利]一种半导体结构的刻蚀装置

说明书

本发明公开了一种半导体结构的刻蚀装置，包括主体，所述主体的外表面设置有限位框，且主体的外表面与限位框的内表面固定连接，所述限位框的左端设置有刻蚀装置，且主体的上表面与金属座底端固定连接，所述金属座内腔的底部设置有清理装置，本发明涉及半导体刻蚀装置技术领域。该半导体结构的刻蚀装置，通过圆盘中部设置有阻挡板，侧立块旋转会挤压圆盘中部的阻挡板运行，圆盘随之运作，圆盘发生扭转，圆盘左端设置有摆动条，圆盘右端的上方设置有刻蚀头，圆盘发生一定的摆动，圆盘底端沿着安置盘的导向而滑动，圆盘右端上方的刻蚀头也逐渐对半导体上的晶圆进行去除，实现了多角度全面去除晶圆的目的。

技术领域

本发明涉及半导体刻蚀技术领域，具体为一种半导体结构的刻蚀装置。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，大部分的电子产品，刻蚀机主要是将没刻画电路图的晶圆去除，半导体离不开刻蚀的操作工艺。

现有的刻蚀技术主要解决半导体晶圆的颗粒污染问题，污染的颗粒掉落在未处理的半导体晶圆上面，并且会发生一定的积累和堆积，很容易造成被污染的半导体晶圆不能够完全刻蚀，也就是说，当完成刻蚀的半导体晶圆在设备等待的时候，不能及时的去除半导体上的残留颗粒，残留颗粒就会发生一定的固化，对于后续的其他工艺加工也会产生影响，造成半导体晶圆上的残留颗粒生产合格率和性能不能显著提高。

发明内容

（一）解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体结构的刻蚀装置，解决了以上的问题。

（二）技术方案

为实现以上自动去除晶体残留颗粒和自动清洁的目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种半导体结构的刻蚀装置，包括主体，所述主体的外表面设置有限位框，且主体的外表面与限位框的内表面固定连接，所述限位框的左端设置有刻蚀装置，通过刻蚀装置的设置提高了半导体晶圆的去掉效果，处理了半导体晶圆的污染颗粒，全方面的对半导体晶圆进行完全刻蚀，且限位框的左端与刻蚀装置的右端滑动连接，所述主体的上表面设置有金属座，且主体的上表面与金属座底端固定连接，所述金属座内腔的底部设置有清理装置，通过清理装置的设置提高了设备内部的环境，具有了一定的干净效果，促使了设备具有更精准的晶圆颗粒和性能，且金属座内腔的底部与清理装置的外表面固定连接；

所述刻蚀装置包括有安置盘，所述安置盘的上表面设置有中心座，且安置盘的上表面与中心座的右端转动连接，所述中心座的左侧设置有支撑条，且中心座的左侧与支撑条的右侧固定连接，所述中心座的轴心处设置有金属圆轴，金属圆轴转动会逐渐带动撑件同步运动，撑件发生运动，从而设备具有一定的辅助作用，为后面的刻蚀起到帮助，奠定了一定的基础，且中心座轴心处的左侧与金属圆轴的右侧转动连接，所述金属圆轴内腔的顶部设置有撑件，且金属圆轴内腔的顶部与撑件底端的外表面固定连接，所述撑件的外表面设置有安装架，且撑件的外表面与安装架的内表面滑动连接，所述安装架的内腔设置有摆动条，且安装架的内腔与摆动条的外表面固定连接，所述摆动条的顶部设置有圆盘，且摆动条的顶部与圆盘的侧面固定连接，所述撑件顶部的右端设在有侧立块，且撑件顶部的右端与侧立块的左端固定连接。

优选的，所述限位框的内腔设置有清理装置，且限位框的内腔与清理装置的外表面固定连接，所述刻蚀装置中部的内腔设置有清理装置，且刻蚀装置中部的内腔与清理装置的外表面固定连接，通过清理装置的设置提高了设备内部的环境，具有了一定的干净效果，促使了设备具有更精准的晶圆颗粒和性能，所述限位框与金属座相互平行，这种结构具有联动性和适配性。