[发明专利]一种有源区形成方法以及半导体结构

说明书

本发明公开了一种有源区形成方法以及半导体结构，通过提供半导体衬底，该半导体衬底包括沟槽以及由沟槽隔离出的至少一个呈长岛型或棒型的预备有源区；在与半导体衬底设置有预备有源区的一侧表面呈锐角的方向对预备有源区进行离子掺杂；在预备有源区的侧壁上沉积半导体层，以形成有源区。该方法通过在在与半导体衬底设置有预备有源区的一侧表面呈锐角的方向对预备有源区进行离子掺杂并另外沉积半导体层，有利于扩大有源区，从而能够增加有源区与其他导电结构的接触面积，提高半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种有源区形成方法以及半导体结构。

背景技术

在现有的半导体工艺中，一般需要对半导体衬底进行刻蚀，以形成多个浅沟槽以及由多个浅沟槽隔离出的有源区，再向浅沟槽内填充绝缘材料形成浅沟槽隔离区，最后在有源区上制备所需要的半导体器件。然而，随着对小尺寸半导体器件的需求以及工艺条件的限制，无法得到较大线宽的有源区，有源区的线宽太小，不利于后续在有源区上制备半导体器件。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：随着对小尺寸半导体器件的需求以及工艺条件的限制，无法得到较大线宽的有源区，有源区的线宽太小，不利于后续在有源区上制备半导体器件。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种有源区形成方法以及半导体结构。

本发明的第一个方面，提供了一种有源区形成方法，其包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括沟槽以及由所述沟槽隔离出的至少一个呈长岛型或棒型的预备有源区；

在与所述半导体衬底设置有所述预备有源区的一侧表面呈锐角的方向对所述预备有源区进行离子掺杂；

在所述预备有源区的侧壁上沉积半导体层，以形成有源区。

在一些实施例中，在所述预备有源区的侧壁上沉积半导体层之前，所述方法还包括：

在所述预备有源区的侧壁上形成氧化层，其中，所述氧化层设置在所述预备有源区的侧壁和所述半导体层之间。

在一些实施例中，采用现场蒸汽生成氧化方法或低压自由基氧化方法生成所述氧化层。

在一些实施例中，所述预备有源区的延伸方向的氧化层厚度比所述预备有源区的头部区域的氧化层厚度厚。

在所述预备有源区的侧壁上形成所述氧化层之后且沉积所述半导体层之前，所述方法还包括：去除所述氧化层。

在一些实施例中，在所述预备有源区的侧壁上沉积半导体层之后，所述方法还包括：

对在所述预备有源区的侧壁上形成所述氧化层和所述半导体层后得到的堆叠结构进行热处理；

去除所述氧化层。

在一些实施例中，所述有源区在所述半导体衬底上的正投影呈预设图案，所述预设图案包括两个头部区域和位于两个所述头部区域之间的中间区域，在垂直于所述预备有源区延伸的方向上，所述头部区域最宽位置处的的第一尺寸大于所述中间区域的第二尺寸。

在一些实施例中，所述预设图案呈骨头形状。

在一些实施例中，所述半导体层在所述预备有源区的头部区域侧壁上的第一沉积厚度大于在所述预备有源区的中间区域侧壁上的第二沉积厚度。

在一些实施例中，所述方法还包括：

沉积填充所述沟槽的绝缘介质层。

本发明的第二个方面，提供了一种半导体结构，其包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括沟槽以及至少一个有源区，