[发明专利]一种有源区形成方法以及半导体结构

权利要求书

1.一种有源区形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括沟槽以及由所述沟槽隔离出的至少一个呈长岛型或棒型的预备有源区；

在与所述半导体衬底设置有所述预备有源区的一侧表面呈锐角的方向对所述预备有源区进行离子掺杂；

在所述预备有源区的侧壁上沉积半导体层，以形成有源区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述预备有源区的侧壁上沉积半导体层之前，所述方法还包括：

在所述预备有源区的侧壁上形成氧化层，其中，所述氧化层设置在所述预备有源区的侧壁和所述半导体层之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用现场蒸汽生成氧化方法或低压自由基氧化方法生成所述氧化层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述预备有源区的延伸方向的氧化层厚度比所述预备有源区的头部区域的氧化层厚度厚。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述预备有源区的侧壁上形成所述氧化层之后且沉积所述半导体层之前，所述方法还包括：去除所述氧化层。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述预备有源区的侧壁上沉积半导体层之后，所述方法还包括：

对在所述预备有源区的侧壁上形成所述氧化层和所述半导体层后得到的堆叠结构进行热处理；

去除所述氧化层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源区在所述半导体衬底上的正投影呈预设图案，所述预设图案包括两个头部区域和位于两个所述头部区域之间的中间区域，在垂直于所述预备有源区延伸的方向上，所述头部区域最宽位置处的第一尺寸大于所述中间区域的第二尺寸。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述预设图案呈骨头形状。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层在所述预备有源区的头部区域侧壁上的第一沉积厚度大于在所述预备有源区的中间区域侧壁上的第二沉积厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

沉积填充所述沟槽的绝缘介质层。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括沟槽以及至少一个有源区，

其中，所述有源区包括由所述沟槽隔离出的至少一个呈长岛型或棒型的预备有源区以及覆盖所述预备有源区侧壁的半导体层，在垂直于所述预备有源区延伸的方向上，所述有源区的头部区域最宽位置处的第一尺寸大于所述有源区的中间区域的第二尺寸。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述预备有源区中掺杂有掺杂离子，所述预备有源区的中间区域的第一离子掺杂浓度大于所述预备有源区的头部区域的第二离子掺杂浓度。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述预备有源区延伸的方向上，所述预备有源区的头部区域最宽位置处的第三尺寸大于所述预备有源区的中间区域的第四尺寸。

14.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述有源区在所述半导体衬底上的正投影呈骨头形状。

15.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层在所述预备有源区的头部区域侧壁上的第一沉积厚度大于在所述预备有源区的中间区域侧壁上的第二沉积厚度。

16.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括填充所述沟槽的绝缘介质层。

17.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，在所述预备有源区的延伸方向上相邻所述有源区的头部区域之间的距离和在垂直于所述预备有源区延伸的方向上相邻所述有源区的中间区域之间的距离满足：d6d51.4d6，其中，d5代表在所述预备有源区的延伸方向上相邻所述有源区的头部区域之间的距离；d6代表在垂直于所述预备有源区延伸的方向上相邻所述有源区的中间区域之间的距离。