[发明专利]多相位电感结构

说明书

本发明公开一种多相位电感结构。多相位电感结构包括一第一磁芯体、两个第二磁芯体以及两个第一导电体。两个第二磁芯体分别设置于第一磁芯体的相对两侧表面。每一第二磁芯体具有一第一接合表面。第一接合表面形成一第一环形凸壁与一第一直立凸壁，第一环形凸壁与第一直立凸壁之间形成一第一凹槽。两个第一导电体分别设置在两个第一凹槽中，每一第一导电体包括一第一本体部与连接于第一本体部两端的两个第一接脚部，且两个第一接脚部朝着远离彼此的方向延伸。第一磁芯体的导磁率不同于每一第二磁芯体的导磁率。

技术领域

本发明涉及一种电感结构，尤其涉及一种多相位电感结构。

背景技术

现有技术中的电感结构通常采用不同的单一材料作为磁芯，通常会因不同材料的本身的特性而有效能不佳的问题，例如电感结构能产生较高电感值但是可承载的饱和电流不足，或者是可承载的饱和电流较大但是无法产生高电感值。

另一方面，目前的电子电路组件朝向小型化且高功率的设计趋势，多相位电感结构应此而生，然而现有技术中多相位电感通常是将多个单相位的电感组合成一体，因此所形成的多相位电感的整体体积较大，无法满足体积小型化的需求。

故，如何通过结构设计的改良，以设计出小型化并且具有高功率的多相位电感结构，来克服上述的缺陷，已成为该领域所欲解决的重要课题之一。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种多相位电感结构。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种多相位电感结构，其包括一第一磁芯体、两个第二磁芯体以及两个第一导电体。两个第二磁芯体分别设置于第一磁芯体的相对两侧表面。每一第二磁芯体具有一第一接合表面。第一接合表面形成一第一环形凸壁与一第一直立凸壁，第一环形凸壁与第一直立凸壁之间形成一第一凹槽。两个第一导电体分别设置在两个第一凹槽中，每一第一导电体包括一第一本体部与连接于第一本体部两端的两个第一接脚部，且两个第一接脚部朝着远离彼此的方向延伸。第一磁芯体的导磁率不同于每一第二磁芯体的导磁率。

优选地，所述第一磁芯体由铁氧体材料制成，每一所述第二磁芯体由合金材料制成，且所述第一磁芯体的导磁率大于每一所述第二磁芯体的导磁率。

优选地，所述第一磁芯体由合金材料制成，每一所述第二磁芯体由铁氧体材料制成，且所述第一磁芯体的导磁率小于每一所述第二磁芯体的导磁率。

优选地，每一所述第二磁芯体的一底表面与所述第一直立凸壁的底部相切齐，所述底表面与所述第一环形凸壁的两端的底部相隔一距离。

优选地，当两个所述第一导电体分别设置在两个所述第一凹槽中时，每一所述第一导电体的所述第一本体部会嵌入对应的所述第一凹槽中，而两个所述第一接脚部会外露出来。

优选地，每一所述第一凹槽的深度大于或等于每一所述第一导电体的宽度。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种多相位电感结构，其包括两个第一磁芯体、一第二磁芯体以及两个第一导电体。第二磁芯体设置在两个第一磁芯体之间。第二磁芯体包括相对的两个第一接合表面。每一第一接合表面形成一第一环形凸壁与一第一直立凸壁。第一环形凸壁与第一直立凸壁之间形成一第一凹槽。两个第一导电体分别设置在两个第一凹槽中。每一第一导电体包括一第一本体部与连接于第一本体部两端的两个第一接脚部，且两个第一接脚部朝着远离彼此的方向延伸。每一第一磁芯体的导磁率不同于第二磁芯体的导磁率。

优选地，多相位电感结构还包括一第三磁芯体与一第二导电体，所述第三磁芯体具有一第二接合表面，所述第二接合表面形成一第二环形凸壁与一第二直立凸壁，所述第二环形凸壁与所述第二直立凸壁之间形成一第二凹槽，所述第二导电体设置在所述第二凹槽中；其中，所述第二导电体包括一第二本体部与连接于所述第二本体部两端的两个第二接脚部，且两个所述第二接脚部朝着远离彼此的方向延伸；其中，所述第三磁芯体的导磁率不同于所述第一磁芯体的导磁率。