[发明专利]多相位电感结构在审

专利信息
申请号: 202111272730.3 申请日: 2021-10-29
公开(公告)号: CN114005650A 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 梁泓智;陈品榆;叶秀发;吕航军;杨雅雯;许玉婷;黄韦智 申请(专利权)人: 美磊科技股份有限公司
主分类号: H01F27/24 分类号: H01F27/24;H01F27/26
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂慧荃;郑特强
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 多相 电感 结构
【权利要求书】:

1.一种多相位电感结构,其特征在于,所述多相位电感结构包括:

一第一磁芯体;

两个第二磁芯体,分别设置于所述第一磁芯体的相对两侧,每一所述第二磁芯体具有一第一接合表面,且每一所述第二磁芯体的所述第一接合表面形成一第一环形凸壁与一第一直立凸壁,所述第一环形凸壁与所述第一直立凸壁之间形成一第一凹槽;以及

两个第一导电体,分别设置在两个所述第一凹槽中,每一所述第一导电体包括一第一本体部与连接于所述第一本体部两端的两个第一接脚部,两个所述第一接脚部朝着远离彼此的方向延伸;

其中,所述第一磁芯体的导磁率不同于每一所述第二磁芯体的导磁率。

2.根据权利要求1所述的多相位电感结构,其特征在于,所述第一磁芯体由铁氧体材料制成,每一所述第二磁芯体由合金材料制成,且所述第一磁芯体的导磁率大于每一所述第二磁芯体的导磁率。

3.根据权利要求1所述的多相位电感结构,其特征在于,所述第一磁芯体由合金材料制成,每一所述第二磁芯体由铁氧体材料制成,且所述第一磁芯体的导磁率小于每一所述第二磁芯体的导磁率。

4.根据权利要求1所述的多相位电感结构,其特征在于,每一所述第二磁芯体的一底表面与所述第一直立凸壁的底部相切齐,所述底表面与所述第一环形凸壁的两端的底部相隔一距离。

5.根据权利要求4所述的多相位电感结构,其特征在于,当两个所述第一导电体分别设置在两个所述第一凹槽中时,每一所述第一导电体的所述第一本体部会嵌入对应的所述第一凹槽中,而两个所述第一接脚部会外露出来。

6.根据权利要求1所述的多相位电感结构,其特征在于,每一所述第一凹槽的深度大于或等于每一所述第一导电体的宽度。

7.一种多相位电感结构,其特征在于,所述多相位电感结构包括:

两个第一磁芯体;

一第二磁芯体,设置在两个所述第一磁芯体之间,所述第二磁芯体包括相对的两个第一接合表面,每一所述第一接合表面形成一第一环形凸壁与一第一直立凸壁,所述第一环形凸壁与所述第一直立凸壁之间形成一第一凹槽;以及

两个第一导电体,分别设置在两个第一凹槽中,每一所述第一导电体包括一第一本体部与连接于所述第一本体部两端的两个第一接脚部,且两个所述第一接脚部朝着远离彼此的方向延伸;

其中,每一所述第一磁芯体的导磁率不同于所述第二磁芯体的导磁率。

8.根据权利要求7所述的多相位电感结构,其特征在于,所述多相位电感结构还包括:一第三磁芯体与一第二导电体,所述第三磁芯体具有一第二接合表面,所述第二接合表面形成一第二环形凸壁与一第二直立凸壁,所述第二环形凸壁与所述第二直立凸壁之间形成一第二凹槽,所述第二导电体设置在所述第二凹槽中;其中,所述第二导电体包括一第二本体部与连接于所述第二本体部两端的两个第二接脚部,且两个所述第二接脚部朝着远离彼此的方向延伸;其中,所述第三磁芯体的导磁率不同于所述第一磁芯体的导磁率。

9.根据权利要求8所述的多相位电感结构,其特征在于,每一所述第一磁芯体由铁氧体材料制成,所述第二磁芯体及所述第三磁芯体由合金材料制成,且每一所述第一磁芯体的导磁率大于所述第二磁芯体及所述第三磁芯体的导磁率。

10.根据权利要求8所述的多相位电感结构,其特征在于,每一所述第一磁芯体由合金材料制成,所述第二磁芯体及所述第三磁芯体由铁氧体材料制成,且每一所述第一磁芯体的导磁率小于所述第二磁芯体及所述第三磁芯体的导磁率。

11.根据权利要求8所述的多相位电感结构,其特征在于,所述第二磁芯体的一底表面与每一所述第一直立凸壁的底部相切齐,且所述底表面与每一所述第一环形凸壁的两端的底部相隔一距离。

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