[发明专利]一种硅片检测方法

说明书

本发明提供一种硅片检测方法。硅片检测方法包括确定硅片上的裂纹在旋转时发生形变对应的最小速度；控制目标硅片旋转，其中，所述目标硅片的最大旋转速度不小于所述最小速度；检测所述目标硅片相对于未旋转状态是否发生形变。这样，通过控制硅片旋转，当旋转速度大于最小速度时，如果硅片上存在裂纹，则会进一步解理，从而使得硅片发生形变，有助于提高对于硅片上可能存在的裂纹的检测精度。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种硅片检测方法

背景技术

硅片等半导体加工过程中，需要通过化学方法和机械物理方法相配合去除表面的损伤层，以使表面镜面化，从而便于后续加工，这一镜面化过程中，通常包括机械研磨的步骤，这一过程会使硅片的表面承受较大的压力，如果硅片的表面或边缘处存在裂纹等损伤，可能在这一过程中产生大颗粒碎片，所产生的碎片可能会对其他硅片造成损伤，因此，有必要对硅片上可能存在的裂纹进行检测。现有的检测方式主要依赖对硅片的外观进行检测，然而这种方式受到多种因素影响，例如，硅片表面可能存在夹取硅片产生的痕迹或研磨过程中产生的磨轮印等，因此，现有对于硅片裂纹检测的准确性较差。

发明内容

本发明实施例提供一种硅片检测方法，以解决现有对于硅片裂纹检测的准确性较差的问题。

本发明实施例提供了一种硅片检测方法，包括以下步骤：

确定硅片上的裂纹在旋转时发生形变对应的最小速度；

控制目标硅片旋转，其中，所述目标硅片的最大旋转速度不小于所述最小速度；

检测所述目标硅片相对于未旋转状态是否发生形变。

在一些实施例中，所述确定硅片上的裂纹在旋转时发生形变对应的最小速度，包括：

获取检测硅片，所述检测硅片与所述目标硅片的规格相同；

在所述检测硅片上的目标点形成检测裂纹；

控制所述检测硅片旋转，其中，所述检测硅片的旋转速度逐渐增加；

根据所述检测裂纹发生形变时所述检测硅片的旋转状态确定所述最小速度。

在一些实施例中，所述根据所述检测裂纹发生形变时所述检测硅片的旋转状态确定所述最小速度，包括：

获取所述目标点与所述检测硅片旋转转轴之间的第一距离；

获取所述检测裂纹发生形变时所述检测硅片对应的最小角速度；

根据所述第一距离和所述最小角速度确定所述目标点对应的最小线速度作为所述最小速度。

在一些实施例中，所述控制目标硅片旋转，包括：

确定所述目标硅片与所述目标硅片的转轴之间的第二距离；

根据所述第二距离计算所述最小速度对应的目标角速度；

控制所述目标硅片的最大旋转角速度不小于所述目标角速度。

在一些实施例中，所述控制所述检测硅片旋转，包括：

在所述目标点为所述检测硅片上最靠近旋转转轴的点的情况下，控制所述检测硅片旋转；

所述根据所述检测裂纹发生形变时所述检测硅片的旋转状态确定所述最小速度，包括：

将所述检测裂纹发生形变时，所述检测硅片的旋转角速度作为所述最小速度。

在一些实施例中，所述控制目标硅片旋转，包括：

控制目标硅片旋转，其中，所述目标硅片与所述目标硅片的旋转转轴之间的最小距离大于或等于所述目标点与所述检测硅片的旋转转轴之间的距离。