[发明专利]一种硅片检测方法在审

专利信息
申请号: 202111269607.6 申请日: 2021-10-29
公开(公告)号: CN114002226A 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 李昀泽 申请(专利权)人: 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;G01N21/95
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 顾春天
地址: 710000 陕西省西安市*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种硅片检测方法,其特征在于,包括以下步骤:

确定硅片上的裂纹在旋转时发生形变对应的最小速度;

控制目标硅片旋转,其中,所述目标硅片的最大旋转速度不小于所述最小速度;

检测所述目标硅片相对于未旋转状态是否发生形变。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述确定硅片上的裂纹在旋转时发生形变对应的最小速度,包括:

获取检测硅片,所述检测硅片与所述目标硅片的规格相同;

在所述检测硅片上的目标点形成检测裂纹;

控制所述检测硅片旋转,其中,所述检测硅片的旋转速度逐渐增加;

根据所述检测裂纹发生形变时所述检测硅片的旋转状态确定所述最小速度。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据所述检测裂纹发生形变时所述检测硅片的旋转状态确定所述最小速度,包括:

获取所述目标点与所述检测硅片旋转转轴之间的第一距离;

获取所述检测裂纹发生形变时所述检测硅片对应的最小角速度;

根据所述第一距离和所述最小角速度确定所述目标点对应的最小线速度作为所述最小速度。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述控制目标硅片旋转,包括:

确定所述目标硅片与所述目标硅片的转轴之间的第二距离;

根据所述第二距离计算所述最小速度对应的目标角速度;

控制所述目标硅片的最大旋转角速度不小于所述目标角速度。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述控制所述检测硅片旋转,包括:

在所述目标点为所述检测硅片上最靠近旋转转轴的点的情况下,控制所述检测硅片旋转;

所述根据所述检测裂纹发生形变时所述检测硅片的旋转状态确定所述最小速度,包括:

将所述检测裂纹发生形变时,所述检测硅片的旋转角速度作为所述最小速度。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述控制目标硅片旋转,包括:

控制目标硅片旋转,其中,所述目标硅片与所述目标硅片的旋转转轴之间的最小距离大于或等于所述目标点与所述检测硅片的旋转转轴之间的距离。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其特征在于,所述控制目标硅片旋转,包括:

控制所述目标硅片偏心转轴,其中,所述目标硅片的中心轴与所述目标硅片旋转转轴之间的距离大于所述目标硅片的半径。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其特征在于,所述控制目标硅片旋转,包括:

确定所述目标硅片的晶向;

根据所述目标硅片的晶向确定所述目标硅片的解理面;

控制目标硅片旋转,其中,所述目标硅片旋转过程中,所述目标硅片的解理面和第一方向不平行,所述第一方向为所述目标硅片的中心轴和所述目标硅片的旋转转轴之间的连线方向。

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