[发明专利]一种用于不同干膜快速曝光的方法在审
| 申请号: | 202111263665.8 | 申请日: | 2021-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN114280892A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 陈修涛;董辉;高明;韩非 | 申请(专利权)人: | 合肥众群光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙) 34125 | 代理人: | 郭华俊 |
| 地址: | 230088 安徽省合肥市蜀*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 不同 快速 曝光 方法 | ||
1.一种用于不同干膜快速曝光的方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、确定干膜的型号、激光器、光学镜头、DMD的参数;
S2、计算干膜光刻面处的能量密度α;
S3、计算在光刻过程中,干膜获得的能量J和在最大频帧和给定行数下干膜的最小能量Jmin;
S4、根据干膜需要的能量JA=Jmin,计算对应型号的干膜实际行数,并且获得在最大帧频情况下的DMD最小显示行数,在最小显示行数时,计算激光器实际使用的激光功率对应的干膜所需能量,根据速度调整使干膜所需能量满足J=JA。
2.根据权利要求1所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法,其特征在于,步骤S1具体为:确定干膜的型号和对应型号干膜需要的能量JA、激光器的总功率ω、光学镜头的方法倍率β、光学系统的光学效率τ以及DMD照明光斑的最大行数L。
3.根据权利要求1所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法,其特征在于,步骤S2具体为:
S2、计算干膜光刻面处的能量密度α,计算公式如下:
其中A表示DMD的列数。
4.根据权利要求1所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法,其特征在于,步骤S3具体为:计算在光刻过程中,干膜获得的能量J,计算公式如下:
t表示干膜的光刻时间;N表示DMD实际显示的行数;V表示实际的光刻速度;f表示DMD的帧率;L1表示平台触发DMD翻转的距离;
其中最大帧频f=1/(0.04*N+8),因此,在给定行数下干膜的最小能量为:
5.根据权利要求4所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法,其特征在于,步骤S4具体为:
根据干膜的光刻能量JA=Jmin,计算N的值,N为对应型号的干膜的实际DMD显示的行数;
在最大帧频情况下满足干膜所需能量,即
其中,Nmin为DMD最小的显示行数;
根据公式(5)计算激光器实际使用的激光功率α1对应的干膜所需能量
如果DMD照明光斑使用最大行数L时,此时还不满足干膜所需能量,即
则降低平台的扫描速度,使J=JA。
6.一种计算机可读存储介质,其特征在于,介质存有计算机程序,计算机程序运行后,执行如权利要求1-5任意一项所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法。
7.一种计算机系统,其特征在于,包括处理器、存储介质,存储介质上存有计算机程序,处理器从存储介质上读取并运行计算机程序以执行如权利要求1-6任意一项所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法。
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