[发明专利]一种用于不同干膜快速曝光的方法在审

专利信息
申请号: 202111263665.8 申请日: 2021-10-25
公开(公告)号: CN114280892A 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 陈修涛;董辉;高明;韩非 申请(专利权)人: 合肥众群光电科技有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙) 34125 代理人: 郭华俊
地址: 230088 安徽省合肥市蜀*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 不同 快速 曝光 方法
【权利要求书】:

1.一种用于不同干膜快速曝光的方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、确定干膜的型号、激光器、光学镜头、DMD的参数;

S2、计算干膜光刻面处的能量密度α;

S3、计算在光刻过程中,干膜获得的能量J和在最大频帧和给定行数下干膜的最小能量Jmin

S4、根据干膜需要的能量JA=Jmin,计算对应型号的干膜实际行数,并且获得在最大帧频情况下的DMD最小显示行数,在最小显示行数时,计算激光器实际使用的激光功率对应的干膜所需能量,根据速度调整使干膜所需能量满足J=JA

2.根据权利要求1所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法,其特征在于,步骤S1具体为:确定干膜的型号和对应型号干膜需要的能量JA、激光器的总功率ω、光学镜头的方法倍率β、光学系统的光学效率τ以及DMD照明光斑的最大行数L。

3.根据权利要求1所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法,其特征在于,步骤S2具体为:

S2、计算干膜光刻面处的能量密度α,计算公式如下:

其中A表示DMD的列数。

4.根据权利要求1所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法,其特征在于,步骤S3具体为:计算在光刻过程中,干膜获得的能量J,计算公式如下:

t表示干膜的光刻时间;N表示DMD实际显示的行数;V表示实际的光刻速度;f表示DMD的帧率;L1表示平台触发DMD翻转的距离;

其中最大帧频f=1/(0.04*N+8),因此,在给定行数下干膜的最小能量为:

5.根据权利要求4所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法,其特征在于,步骤S4具体为:

根据干膜的光刻能量JA=Jmin,计算N的值,N为对应型号的干膜的实际DMD显示的行数;

在最大帧频情况下满足干膜所需能量,即

其中,Nmin为DMD最小的显示行数;

根据公式(5)计算激光器实际使用的激光功率α1对应的干膜所需能量

如果DMD照明光斑使用最大行数L时,此时还不满足干膜所需能量,即

则降低平台的扫描速度,使J=JA

6.一种计算机可读存储介质,其特征在于,介质存有计算机程序,计算机程序运行后,执行如权利要求1-5任意一项所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法。

7.一种计算机系统,其特征在于,包括处理器、存储介质,存储介质上存有计算机程序,处理器从存储介质上读取并运行计算机程序以执行如权利要求1-6任意一项所述的一种用于不同干膜快速曝光的方法。

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