[发明专利]一种磁电编码器的自校准装置有效
申请号: | 202111262978.1 | 申请日: | 2021-10-28 |
公开(公告)号: | CN114001768B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 沈安文;张津航;罗欣;吴向泽;唐其鹏 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G01D18/00 | 分类号: | G01D18/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 尹丽媛;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁电 编码器 校准 装置 | ||
本发明属于磁电编码器技术领域,具体涉及一种磁电编码器的自校准装置,包括:主动电机及安装在其上的高精度编码器,从动电机及安装在其上的待校准磁电编码器;待校准磁电编码器中的处理器用于对磁传感器输出的正余弦信号进行直流偏差和幅值偏差校准并细分解码,得到初步校准后的角度位置数据;基于该角度位置数据查找校准表以确定该角度位置数据对应的高精度角度位置数据。本发明在建立校准表的过程中,是通过监听的方式获取角度信息,并且在同步旋转的过程中完成纠偏,从而省去了传统模式中通过控制器进行纠偏的步骤,节约了成本,同时提升了校准速度,使校准过程更加高效。
技术领域
本发明属于磁电编码器技术领域,更具体地,涉及一种磁电编码器的自校准装置。
背景技术
磁电编码器的基本原理是通过相关的磁传感器芯片感知转子转动时所产生的变化磁场并将其转化为模拟量的正余弦信号进行输出,之后将其送到单片机的ADC通道进行采样,对采样值进行细分解码并最终得到转子的精确位置。
高精度磁电旋转编码器可通过对测得的正余弦信号进行适当的偏差补偿以及细分解码可以得到高精度的转子角度,同时其相对于光电编码器来说成本很低且可以满足纺织、物流等多行业的精度要求。随着磁编码技术的不断创新,磁电编码器正朝着“小体积,高精度,高稳定性”的趋势不断发展进步,具有良好的发展前景。
然而,目前广泛应用的磁传感器芯片,例如AMR,GMR等,其输出的正余弦信号存在非线性因素和谐波,这会导致最终送到单片机ADC通道进行采样的正余弦信号与标准的正余弦信号之间存在偏差。同时,ADC采样的精度不够高也会给后续细分解码得到的角度数据带来误差。除此之外,如果芯片的安装位置不准确,采样得到的正余弦信号也将存在偏差。以上因素将导致细分解码得到的角度与转子实际位置之间存在偏差,限制了磁电编码器精度的提高。
发明内容
针对现有技术的缺陷和改进需求,本发明提供了一种磁电编码器的自校准装置,其目的在于提高磁电编码器对电机转子位置的检测精度。
为实现上述目的,按照本发明的一个方面,提供了一种磁电编码器的自校准装置,包括:主动电机及安装在其上的高精度编码器,从动电机及安装在其上的待校准磁电编码器;
所述待校准磁电编码器中的处理器用于对磁传感器输出的正余弦信号进行直流偏差和幅值偏差校准并细分解码,得到初步校准后的从动电机转子的角度位置数据;基于该角度位置数据查找校准表,以确定该角度位置数据对应的高精度角度位置数据并输出;
其中,所述校准表为预先通过以下方法得到:
所述从动电机与所述主动电机通过连轴相连,同步旋转;所述处理器会对所述高精度编码器向外发送的主动电机转子角度数据进行监听,得到所述待校准磁电编码器每个输出角度对应的高精度编码器的输出角度并记录,得到所述校准表,所述待校准磁电编码器每个输出角度为通过对输出的正余弦信号进行所述直流偏差和幅值偏差校准并细分解码后得到。
进一步,所述基于该角度位置数据查找校准表,以确定该角度位置数据对应的高精度角度位置数据,具体实现方式为:
将初步校准后的从动电机转子的角度位置数据记录为与预设高精度输出数据相同的位数m;
将所述角度位置数据的前n位用于查校准表以获取对应的高精度编码器输出的n位数据,其中,所述校准表内的数据均为n位;将后m-n位用于基于所述校准表中的存储数据进行线性插值计算,最终输出高精度m位角度数据。
进一步,所述待校准磁电编码器中的处理器还用于:在所述从动电机转动第一圈时,记录下整个过程中待校准磁电编码器输出的正余弦信号的最大值和最小值:Xmax,Xmin,Ymax,Ymin,计算出正余弦信号的幅值Ax、Ay以及直流偏置Ox、Oy,以用于后续的所述直流偏差和幅值偏差的校准;在所述从动电机转动第二圈时,构建所述校准表,用于后续对角度偏差进行进一步的校准。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111262978.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。