[发明专利]吸盘转台和晶圆加工系统有效
申请号: | 202111260376.2 | 申请日: | 2021-10-28 |
公开(公告)号: | CN113910072B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 刘远航;陶红飞;赵德文;路新春;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 华海清科股份有限公司 |
主分类号: | B24B27/00 | 分类号: | B24B27/00;B24B41/00;B24B41/04;B24B41/06;H01L21/683 |
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地址: | 300350 天津市津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸盘 转台 加工 系统 | ||
本发明公开了一种吸盘转台和晶圆加工系统,其中吸盘转台包括:按照由上至下的顺序固定连接的吸盘、底座和轴承、以及与轴承连接的驱动机构、与轴承同轴设置的供给管;吸盘包括多孔盘和承载件,承载件上部具有用于容纳多孔盘的凹部;承载件与底座之间的接触面上设有沟槽,承载件内部设有贯穿其上、下表面的第一通道,第一通道的底端与沟槽连通,第一通道的上端通向多孔盘;底座内部设有第二通道;供给管内部设有互相隔开的第三通道和第四通道,第三通道与第二通道直接连通,第四通道与沟槽直接连通,第三通道和第四通道分别连通流体源和真空源,以通过不同通路向吸盘提供流体和真空,从而减少交互污染。晶圆加工系统包括吸盘转台和磨削工具。
技术领域
本发明涉及晶圆超精密磨削技术领域,尤其涉及一种吸盘转台和晶圆加工系统。
背景技术
目前半导体行业采用在半导体晶圆的表面上形成有IC(Integrated Circuit,集成电路)或LSI(Large Scale Integration,大规模集成电路)等电子电路来制造半导体芯片。晶圆在被分割为半导体芯片之前,通过磨削减薄加工装置来磨削形成有电子电路的器件面的相反侧的背面,从而将晶圆减薄至预定的厚度。
在减薄工艺中,晶圆通过吸盘转台的真空吸附效应实现位置固定,与此同时,吸盘转台的平整度直接影响晶圆磨削之后的厚度一致性。在磨削过程中,研磨水、细小的研磨碎屑、硅粉等污染物会积聚在吸盘转台内部,时间久了之后引起吸盘转台表面局部凸起,造成晶圆的一致性变差,良品率变低。
发明内容
本发明实施例提供了一种吸盘转台和晶圆加工系统,旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
本发明实施例的第一方面提供了一种吸盘转台,包括:按照由上至下的顺序固定连接的吸盘、底座和轴承、以及与轴承连接的驱动机构、与轴承同轴设置的供给管;
所述吸盘包括多孔盘和承载件,承载件上部具有用于容纳多孔盘的凹部;承载件与底座之间的接触面上设有沟槽,承载件内部设有贯穿其上、下表面的第一通道,第一通道的底端与所述沟槽连通,第一通道的上端通向多孔盘;底座内部设有第二通道;供给管内部设有互相隔开的第三通道和第四通道,第三通道与第二通道直接连通,第四通道与沟槽直接连通,第三通道和第四通道分别连通流体源和真空源,以通过不同通路向吸盘提供流体和真空,从而减少交互污染。
在一个实施例中,所述沟槽包括环形槽和辐射槽,多个所述环形槽同心设置,多个所述辐射槽沿径向呈放射状设置。
在一个实施例中,所述第一通道沿承载件的厚度方向设置,所述第一通道通向所述环形槽与所述辐射槽的交汇处。
在一个实施例中,所述第二通道包括第二横向通路和第二纵向通路,第二纵向通路将第二横向通路与沟槽连通。
在一个实施例中,所述第二纵向通路与最外侧的环形槽相连通。
在一个实施例中,多个所述第二纵向通路沿所述环形槽间隔均匀分布。
在一个实施例中,所述底座还设有用于容纳供给管的中心通孔,中心通孔内侧壁设有环形的凹槽,从所述凹槽上开孔并向外延伸形成所述第二横向通路。
在一个实施例中,所述第三通道的开口通向所述凹槽。
在一个实施例中,所述第四通道从所述供给管顶端开口,以连通所述沟槽。
本发明实施例的第二方面提供了一种晶圆加工系统,包括:
如上所述的用于载置晶圆并可单独旋转的吸盘转台;
用于对晶圆进行磨削的磨削工具。
本发明实施例的有益效果包括:能够通过不同通路向吸盘提供流体和真空,从而减少交互污染。
附图说明
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