[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及显示装置在审
申请号: | 202111256192.9 | 申请日: | 2021-10-27 |
公开(公告)号: | CN113934064A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 崔贤植 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 周颖颖 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 液晶显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置,阵列基板包括:衬底,衬底上设有阵列排布的多个子像素和多个公共电极,子像素包括像素电极,阵列基板还包括:沿列方向延伸且沿行方向并排设置的多个垂直墙,相邻两个垂直墙之间设有一列子像素;沿行方向相邻两个垂直墙具有彼此相向的第一面和第二面,第一面设有像素电极,第二面设有公共电极,相向设置的像素电极和公共电极之间相互绝缘;在衬底的厚度方向上,相向设置的像素电极和公共电极各自到衬底的距离不同。本发明中阵列基板具有垂直墙,每个子像素的像素电极和公共电极分别搭设在两个垂直墙,在衬底厚度方向上错开设置且相互绝缘,能够在高分辨率(1500PPI以上)下实现高透过率。
技术领域
本发明一般涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示器制造技术的发展,薄膜晶体管-液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)已成为当前主流的平板显示器,其基本结构通常是由阵列基板(即TFT基板)和彩膜基板(CF基板)对盒并灌注液晶而制成。
在高级超维场转换(Advanced Super Dimension Switch,ADS)液晶显示装置中,像素电极和公共电极都设置于阵列基板上,通过对公共电极和像素电极加载数据电压,形成一定的驱动电场以控制液晶转向,进而控制通过液晶面板的光线。
参照图1,现有的阵列基板中设计有垂直电极结构,是在阵列基板上形成垂直壁体(Vertical Wall)1,沿行方向分布在单个sub-pixel(子像素)两侧的Vertical Wall相向的面上设置同层且分离的像素电极2和公共电极3。该垂直电极结构可使得液晶旋转45°,用以改善1500PPI(Pixelsperinch,每英寸像素数)以上的高分辨率下的透过率。但是,1500PPI以上的高分辨率下单个sub-pixel的宽度会相应的变小,sub-pixel的像素电极2和公共电极3之间的间距L太窄,容易发生短路(short)不良的问题。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。
第一方面,本发明实施例提供一种阵列基板,包括:衬底,所述衬底上设有阵列排布的多个子像素和多个公共电极,所述子像素包括像素电极,所述阵列基板还包括:沿列方向延伸且沿行方向并排设置的多个垂直墙,相邻两个所述垂直墙之间设有一列所述子像素;
沿行方向相邻两个所述垂直墙具有彼此相向的第一面和第二面,所述第一面设有所述像素电极,所述第二面设有所述公共电极,相向设置的所述像素电极和所述公共电极之间相互绝缘;
在所述衬底的厚度方向上,相向设置的所述像素电极和所述公共电极各自到所述衬底的距离不同。
可选地,每个所述垂直墙远离所述衬底的一侧依次层叠设有所述像素电极、绝缘膜层以及所述公共电极;
沿行方向每个所述垂直墙具有彼此相背的两个表面;对于一个所述垂直墙,其上的所述像素电极覆盖所述两个表面之一,其上的公共电极在所述衬底上的正投影覆盖所述两个表面另一在所述衬底上的正投影。
可选地,每个所述垂直墙远离所述衬底的一侧依次层叠设有所述公共电极、绝缘膜层以及所述像素电极;
沿行方向每个所述垂直墙具有彼此相背的两个表面;对于一个所述垂直墙,其上的像素电极在所述衬底上的正投影覆盖所述两个表面的其中之一在所述衬底上的正投影,其上的公共电极至少覆盖所述两个表面的其中另一。
可选地,所述多个垂直墙包括沿行方向交替设置的第一垂直墙和第二垂直墙;所述第一垂直墙远离所述衬底的一侧设有两个异层设置的所述像素电极,所述第二垂直墙远离所述衬底的一侧设有两个异层设置的所述公共电极,异层设置的两个所述像素电极之间、异层设置的两个所述公共电极之间均设有绝缘膜层;
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