[发明专利]一种低成本静电防护方法

说明书

本申请实施例公开了一种低成本静电防护方法，包括：提供第一芯片，将集成电路布设于第一芯片上；提供第二芯片，将静电防护电路布设于第二芯片上，静电防护电路包括：第一电源接出端口、第二电源接出端口、第一电容；将第一电源接出端口与集成电路电源端口相连，当静电脉冲从第二电源接出端口流入时，第一电容能够吸收该静电脉冲，抑制集成电路发生静电损伤，同时电容成本较低，使得所述方法实现静电防护的同时，防护成本较低。并且，集成电路与静电防护电路布设于不同芯片，不需要在集成电路所在芯片上进行静电防护设计，避免了由于集成电路所在芯片基底材料限制导致无法对集成电路进行静电防护设计的问题，能够实现对新型集成电路的静电防护。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种低成本静电防护方法。

背景技术

随着集成电路技术的发展，其应用越来越广泛，使得对集成电路的静电防护越来越重要，也使得对集成电路的静电防护成本越来越受到关注，降低静电防护的成本，对于集成电路的发展也是至关重要的，从而提供一种成本较低的静电防护方法，成为了本领域技术人员的研究重点。

并且，随着集成电路技术的发展，新型材料集成电路已经成为了集成电路发展的大趋势，这些新型材料集成电路的基底材料与硅基集成电路的基底材料不同，使得新型材料集成电路相比于硅基集成电路具有更加优越的性能，成为提高计算机运行速度，降低电子设备功耗的一代新星。然而，这些新型材料集成电路通常都对静电脉冲非常敏感，容易发生静电损伤，并且这些新型材料集成电路还由于其基底材料特性方面的一些限制，会导致现有集成电路的静电防护设计无法实现，从而无法对此类集成电路进行有效的静电防护，使得此类集成电路实际应用中，容易由于静电损伤而导致集成电路功能失效。因此，提供一种能够对上述新型材料集成电路进行静电防护的方法，成为了本领域技术人员的研究重点。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种低成本静电防护方法，利用该静电防护电路方法对集成电路进行静电防护的成本较低，并且所述静电防护还能够实现对静电敏感型新型材料集成电路的静电防护，有助于保证集成电路的可靠性，助力新型材料集成电路的发展。

为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种低成本静电防护方法，包括：

提供第一芯片，将集成电路布设于所述第一芯片上，所述集成电路包括电源端口；

提供第二芯片，将静电防护电路布设于所述第二芯片上，所述静电防护电路包括：电源接出端口、第一电容以及地端接出端口，其中，所述电源接出端口包括第一电源接出端口和第二电源接出端口，所述第二电源接出端口通过所述第一电容第一端与所述第一电源接出端口相连，所述第一电容第二端与所述地端接出端口相连；

将所述第一电源接出端口与所述集成电路的电源端口相连，以使得所述静电防护电路对所述集成电路进行静电防护。

可选的，所述第一芯片为碳基芯片，所述第二芯片为硅基芯片。

可选的，所述第一电容的电容值的取值范围为0.05uF～50uF，包括端点值。

可选的，所述静电防护电路还包括：设置于所述第二电源接出端口与所述第一电容第一端之间的第二电容和第一N型场效应管，其中，所述第二电容第一端与所述第一N型场效应管漏极相连，所述第一N型场效应管栅极与所述第二电容第二端相连，源极与所述地端接出端口相连，所述地端接出端口接地；该方法还包括：

将所述第二电源接出端口依次通过所述第二电容第一端、所述第一N型场效应管漏极与所述第一电容第一端相连；

所述静电防护电路还包括第一二极管，该方法还包括：

将所述第一二极管负极与所述第一电源接出端口相连，正极与所述地端接出端口相连。