[发明专利]一种低成本静电防护方法

权利要求书

1.一种低成本静电防护方法，其特征在于，包括：

提供第一芯片，将集成电路布设于所述第一芯片上，所述集成电路包括电源端口；

提供第二芯片，将静电防护电路布设于所述第二芯片上，所述静电防护电路包括：电源接出端口、第一电容以及地端接出端口，其中，所述电源接出端口包括第一电源接出端口和第二电源接出端口，所述第二电源接出端口通过所述第一电容第一端与所述第一电源接出端口相连，所述第一电容第二端与所述地端接出端口相连；

将所述第一电源接出端口与所述集成电路的电源端口相连，以使得所述静电防护电路对所述集成电路进行静电防护。

2.根据权利要求1所述的静电防护方法，其特征在于，所述第一芯片为碳基芯片，所述第二芯片为硅基芯片。

3.根据权利要求1所述的静电防护方法，其特征在于，所述第一电容的电容值的取值范围为0.05uF～50uF，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的静电防护方法，其特征在于，所述静电防护电路还包括：设置于所述第二电源接出端口与所述第一电容第一端之间的第二电容和第一N型场效应管，其中，所述第二电容第一端与所述第一N型场效应管漏极相连，所述第一N型场效应管栅极与所述第二电容第二端相连，源极与所述地端接出端口相连，所述地端接出端口接地；该方法还包括：

将所述第二电源接出端口依次通过所述第二电容第一端、所述第一N型场效应管漏极与所述第一电容第一端相连；

所述静电防护电路还包括第一二极管，该方法还包括：

将所述第一二极管负极与所述第一电源接出端口相连，正极与所述地端接出端口相连。

5.根据权利要求4所述的静电防护方法，其特征在于，所述集成电路还包括输入端口，所述静电防护电路还包括：输入接出端口、第二二极管、第三二极管，其中，所述输入接出端口包括第一输入接出端口和第二输入接出端口，所述第二输入接出端口通过所述第二二极管正极与所述第一输入接出端口相连，所述第二二极管负极与所述第二电容第一端相连，所述第三二极管负极与所述第二二极管正极相连，正极与所述地端接出端口相连；

所述静电防护电路还包括：第一电阻、第二N型场效应管，其中，所述第一电阻第一端与所述第一输入接出端口相连，第二端与所述第二二极管正极相连，所述第二N型场效应管漏极与所述第一电阻第一端相连，源极分别与所述第二N型场效应管的栅极和所述地端接出端口相连；

该方法还包括：

将所述第一输入接出端口与所述集成电路的输入端口相连，以使得所述静电防护电路对所述集成电路进行静电防护。

6.根据权利要求5所述的静电防护方法，其特征在于，所述集成电路还包括输出端口，所述静电防护电路还包括：输出接出端口、第四二极管、第五二极管，其中，所述输出接出端口包括第一输出接出端口和第二输出接出端口，所述第二输出接出端口通过所述第四二极管正极与所述第一输出接出端口相连，所述第四二极管负极与所述第一电源接出端口相连，所述第五二极管负极与所述第四二极管正极相连，正极与所述地端接出端口相连；该方法还包括：

将所述第一输出接出端口与所述集成电路的输出端口相连，以使得所述静电防护电路对所述集成电路进行静电防护。

7.根据权利要求6所述的静电防护方法，其特征在于，所述静电防护电路还包括第二电阻；该方法还包括：

将所述第二电阻第一端与所述第一电容第一端相连，第二端与所述第一电阻第二端相连。

8.根据权利要求7所述的静电防护方法，其特征在于，所述第一二极管为栅控二极管，所述第二二极管为栅控二极管，所述第三二极管为栅控二极管，所述第四二极管为栅控二极管，所述第五二极管为栅控二极管。

9.根据权利要求4所述的静电防护方法，其特征在于，所述静电防护电路还包括第三电阻；该方法还包括：

将所述第三电阻第一端与所述第一N型场效应管栅极相连，第二端与所述地端接出端口相连。

10.根据权利要求1所述的静电防护方法，其特征在于，所述集成电路还包括地端口，所述地端接出端口包括第一地端接出端口和第二地端接出端口；该方法还包括：

将所述第一地端接出端口与所述集成电路的地端口相连，所述第二地端接出端口与所述第一地端接出端口相连，并将所述第二地端接出端口接地。