[发明专利]一种暴露高能（111）晶面的伽马氧化铝的制备方法

权利要求书

1.一种暴露高能(111)晶面伽马氧化铝的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1：将铝源、碱溶液和有机酸混合，室温下搅拌均匀，得到粘稠的浆料；

步骤2：将步骤1中得到的浆料转入到反应釜中加热，之后冷却至室温，在反应釜底部得到沉淀物；

步骤3：将步骤2中得到的沉淀物取出，并用乙醇洗涤3～5次之后，抽滤后得到的沉淀物烘干、研磨得到固体粉末；

步骤4：将步骤3中得到的固体粉末，在空气或者氧气气氛中焙烧，冷却至室温后，得到的白色粉末即是暴露高能(111)晶面的伽马氧化铝材料。

2.根据权利要求1所述的暴露高能(111)晶面伽马氧化铝的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的铝源为勃姆石、羟基氧化铝、氯化铝、硝酸铝、硫酸铝或醋酸铝。

3.根据权利要求1所述的暴露高能(111)晶面伽马氧化铝的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的碱溶液为氨水、甲胺溶液、氢氧化钠或氢氧化钾。

4.根据权利要求1所述的暴露高能(111)晶面伽马氧化铝的制备方法，其特征在于：所述步骤1中的有机酸为油酸、十六烷酸、十六碳烯酸、十二烯酸或柠檬酸。

5.根据权利要求1所述的暴露高能(111)晶面伽马氧化铝的制备方法，其特征在于：所述步骤1中铝源、碱溶液和有机酸的质量比为1:1～8:0.2～1。

6.根据权利要求1所述的暴露高能(111)晶面伽马氧化铝的制备方法，其特征在于：所述步骤2中加热温度为120～260℃，并保持2～72h。

7.根据权利要求1所述的暴露高能(111)晶面伽马氧化铝的制备方法，其特征在于：所述步骤3中烘干采用温度120℃，1h。

8.根据权利要求1所述的暴露高能(111)晶面伽马氧化铝的制备方法，其特征在于：所述步骤4中的焙烧采用450～650℃下焙烧4～12h。