[发明专利]一种直径调控制备高性能金属纳米纤维场效应晶体管的方法有效
申请号: | 202111251304.1 | 申请日: | 2021-10-27 |
公开(公告)号: | CN114023807B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 王凤云;徐沛龙;朱鑫旭;丛浩菲 | 申请(专利权)人: | 青岛大学 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/775 |
代理公司: | 青岛高晓专利事务所(普通合伙) 37104 | 代理人: | 黄晓敏 |
地址: | 266000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直径 调控 制备 性能 金属 纳米 纤维 场效应 晶体管 方法 | ||
1.一种直径调控制备高性能金属纳米纤维场效应晶体管的方法,其特征在于,具体过程为:
(1)分别配制纯In静电纺丝前驱体溶液、纯Sn静电纺丝前驱体溶液和ITO静电纺丝前驱体溶液;
(2)用注射器分别抽取步骤(1)所配制的三种静电纺丝前驱体溶液5ml分别进行实验,将超声清洗后的高κ基底放在静电纺丝装置接收端,纺丝环境湿度低于40%的条件下,利用静电纺丝技术,对纯In静电纺丝前驱体溶液、纯Sn静电纺丝前驱体溶液均使用内径0.16mm的针头,对ITO静电纺丝前驱体溶液使用内径0.11mm的针头,在15kV的电压下将注射器中的静电纺丝前驱体溶液纺制在高κ基底上,纺丝时间固定为55s得到附有NFs的高κ基底;
(3)将附有NFs的高κ基底放入烤胶台烘烤10min后进行UV灯照射30min,使纤维与高κ基底接触紧密,再将高κ基底放入马弗炉600℃退火2h,自然冷却至室温后取出,最后通过热蒸发方法利用掩膜板在高κ基底上蒸镀一层60~100nm Al薄膜作为源、漏电极。
2.根据权利要求1所述直径调控制备高性能金属纳米纤维场效应晶体管的方法,其特征在于,所述纯In静电纺丝前驱体溶液的配制过程为:将0.2g InCl3·4H2O、0.9g PVP、5gDMF混合于玻璃瓶中,室温下用磁力搅拌器搅拌8小时至溶液均一透明,形成纯In源的静电纺丝前驱体溶液。
3.根据权利要求1所述直径调控制备高性能金属纳米纤维场效应晶体管的方法,其特征在于,所述纯Sn静电纺丝前驱体溶液的配制过程为:将0.3g SnCl2、0.9g PVP、5g DMF混合于玻璃瓶中,室温下用磁力搅拌器搅拌8小时至溶液均一透明,形成纯Sn源的静电纺丝前驱体溶液。
4.根据权利要求1所述直径调控制备高性能金属纳米纤维场效应晶体管的方法,其特征在于,所述ITO静电纺丝前驱体溶液的配制过程:将0.2g InCl3·4H2O、0.0144g SnCl2、0.9g PVP、5g DMF混合于玻璃瓶中,室温下用磁力搅拌器搅拌8小时至溶液均一透明,形成In:Sn=9:1的ITO静电纺丝前驱体溶液。
5.根据权利要求1所述直径调控制备高性能金属纳米纤维场效应晶体管的方法,其特征在于,所述高κ基底的制备过程为:
(1)将0.375g Al(NO3)3·9H2O、10ml DMF加入玻璃瓶中,室温下用磁力搅拌器搅拌8小时使其充分溶解;
(2)将P型重掺杂无SiO2层的硅片超声清洗后用N2吹干后,放置在等离子体清洗机内处理3min,随后将处理后的硅片放置在匀胶机上;
(3)将配置好的高κ溶液用注射器经0.22μm的PTFE过滤头滴在硅片上使溶液覆盖硅片表面,以300rpm转速运行5s后再以6000rmp转速运行15s后停止;
(4)取下硅片放置于150度的烤胶台上10秒蒸干溶剂后放入马弗炉700度退火2h即可得到高κ基底。
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