[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示面板

说明书

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法和显示面板，阵列基板包括衬底、有源层、蚀刻保护层、欧姆接触层、源极和漏极，有源层设置于衬底上，蚀刻保护层与欧姆接触层同层设置，且蚀刻保护层位于有源层的本体部上，欧姆接触层位于有源层的第一导通部以及第二导通部上，源极设置于位于有源层的第一导通部上的欧姆接触层上，漏极设置于位于有源层的第二导通部上的欧姆接触层上。本申请通过在有源层的本体部上设置由绝缘材料形成的蚀刻保护层，避免在后续蚀刻相邻膜层时，有源层的本体部受到损伤，进而提高阵列基板的性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和显示面板。

背景技术

非晶氧化物薄膜晶体管因其高的迁移率，良好的均匀性，对可见光良好的透过性和低温的制作过程，被广泛应用于各类显示驱动中。非晶氧化物半导体是薄膜晶体管中的一种重要有源层材料，其具有较高的载流子浓度，具备较强的电荷传输能力，可以有效驱动薄膜晶体管器件。但是，在器件的制备过程中，需要膜层需要蚀刻，在蚀刻与有源层的相邻膜层时，会对有源层的本体部造成损伤，影响薄膜晶体管的电性以及稳定性。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法和显示面板，以解决在阵列基板的制备过程中有源层的本体部受到损伤的问题。

本申请提供一种阵列基板，包括：

衬底；

有源层，所述有源层设置于所述衬底上；

蚀刻保护层和欧姆接触层，所述蚀刻保护层与所述欧姆接触层同层设置，且所述蚀刻保护层位于所述有源层的本体部上，所述欧姆接触层位于所述有源层的第一导通部以及第二导通部上；

源极，所述源极设置于位于所述有源层的第一导通部上的所述欧姆接触层上；以及

漏极，所述漏极设置于位于所述有源层的第二导通部上的所述欧姆接触层上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层包括依次层叠设置的有源部和保护部，所述有源部的迁移率大于所述保护部的迁移率。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述欧姆接触层的材料包括导体材料，所述蚀刻保护层的材料包括所述导电材料的氧化物。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述欧姆接触层的材料包括硅、Mo、Al、Ti和Cu中的一种或几种组合，所述蚀刻保护层的材料包括氮化硅、氧化钼、氧化铝、氧化钛和氧化铜中的一种或几种组合。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述欧姆接触层的材料包括金属或者金属氧化物，所述蚀刻保护层的材料包括硅基绝缘材料。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述欧姆接触层的材料包括硅、ITO、Mo、Al、Ti和Cu中的一种或几种组合，所述蚀刻保护层的材料包括氮化硅、氮氧化硅和氮化硅中的一种或几种组合。

相应的，本申请还提供一种阵列基板的制备方法，包括：

提供一衬底；

在所述有源层的本体部上形成蚀刻保护层，在所述有源层的第一导通部以及第二导通部上形成欧姆接触层；以及

在位于所述有源层的第一导通部上的欧姆接触层上形成源极，在位于所述有源层的第二导通部上的欧姆接触层上形成漏极。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述在所述有源层的本体部上形成蚀刻保护层，在所述有源层的第一导通部以及第二导通部上形成欧姆接触层的步骤中，包括：

在所述有源层上设置导电材料，对所述导电材料进行图案化处理，位于所述有源层的本体部上的导电材料形成蚀刻保护层，位于所述有源层的第一导通部和第二导通部上的导电材料形成欧姆接触层。