[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

有源层，所述有源层设置于所述衬底上；

蚀刻保护层和欧姆接触层，所述蚀刻保护层与所述欧姆接触层同层设置，且所述蚀刻保护层位于所述有源层的本体部上，所述欧姆接触层位于所述有源层的第一导通部以及第二导通部上；

源极，所述源极设置于位于所述有源层的第一导通部上的所述欧姆接触层上；以及

漏极，所述漏极设置于位于所述有源层的第二导通部上的所述欧姆接触层上。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层包括依次层叠设置的有源部和保护部，所述有源部的迁移率大于所述保护部的迁移率。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述欧姆接触层的材料包括导体材料，所述蚀刻保护层的材料包括所述导电材料的氧化物。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述欧姆接触层的材料包括硅、Mo、Al、Ti和Cu中的一种或几种组合，所述蚀刻保护层的材料包括氮化硅、氧化钼、氧化铝、氧化钛和氧化铜中的一种或几种组合。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述欧姆接触层的材料包括金属或者金属氧化物，所述蚀刻保护层的材料包括硅基绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述欧姆接触层的材料包括硅、ITO、Mo、Al、Ti和Cu中的一种或几种组合，所述蚀刻保护层的材料包括氮化硅、氮氧化硅和氮化硅中的一种或几种组合。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成有源层；

在所述有源层的本体部上形成蚀刻保护层，在所述有源层的第一导通部以及第二导通部上形成欧姆接触层；以及

在位于所述有源层的第一导通部上的欧姆接触层上形成源极，在位于所述有源层的第二导通部上的欧姆接触层上形成漏极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层的本体部上形成蚀刻保护层，在所述有源层的第一导通部以及第二导通部上形成欧姆接触层的步骤中，包括：

在所述有源层上设置导电材料，对所述导电材料进行图案化处理，位于所述有源层的本体部上的导电材料形成蚀刻保护层，位于所述有源层的第一导通部和第二导通部上的导电材料形成欧姆接触层。

9.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在位于所述有源层的第一导通部上的欧姆接触层上形成源极，在位于所述有源层的第二导通部上的欧姆接触层上形成漏极的步骤之后，还包括：

对所述蚀刻保护层进行氧化处理，形成绝缘的蚀刻保护层。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。