[发明专利]闪存器件的制备方法

权利要求书

1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有栅介电层，所述衬底上用于形成器件的区域包括元胞区域和逻辑区域，所述元胞区域用于形成闪存器件，所述逻辑区域用于形成逻辑器件，所述元胞区域的栅介电层上形成有字线，所述字线之间的栅介电层上形成有浮栅多晶硅，所述浮栅多晶硅上方形成有控制栅多晶硅，所述字线和所述控制栅多晶硅、所述浮栅多晶硅之间，以及所述字线表面形成有氧化物隔离层，所述控制栅多晶硅和所述浮栅多晶硅之间形成有多层膜隔离层，所述逻辑区域的栅介电层上形成有栅极多晶硅；

形成硬掩模层，所述硬掩模层覆盖所述氧化物隔离层、所述控制栅多晶硅和所述栅极多晶硅；

对所述硬掩模层进行去除处理，保留所述字线两侧的氧化物隔离层表面的硬掩模层；

去除所述逻辑区域中目标区域的栅极多晶硅，剩余的栅极多晶硅形成所述逻辑器件的栅极；

去除所述元胞区域中目标区域的控制栅多晶硅、浮栅多晶硅和多层膜隔离层，去除所述剩余的硬掩模层，剩余的控制栅多晶硅形成所述闪存器件的控制栅，剩余的浮栅多晶硅形成所述闪存器件的浮栅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述硬掩模层进行去除处理，包括：

通过干法刻蚀工艺进行所述去除处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺中离子束与所述衬底表面的法线的夹角小于30度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括氮化硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成硬掩模层，包括：

通过CVD工艺沉积氮化硅形成所述硬掩模层。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述多层膜隔离层包括ONO。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除所述元胞区域中目标区域的控制栅多晶硅、浮栅多晶硅和多层膜隔离层之后，还包括：

形成层间介电层，所述层间介电层覆盖所述氧化物隔离层、所述控制栅、所述浮栅、所述逻辑器件的栅极和所述栅介电层。