[发明专利]热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置

说明书

本发明涉及热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置。本发明的热固性片包含热固性树脂、热塑性树脂、挥发成分、以及导电性颗粒，在固化前的状态下测定的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且1.2μm以下。

技术领域

本发明涉及热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置。

背景技术

以往，在半导体装置的制造中，作为将半导体元件粘接于具有半导体元件的搭载区域的基板的方法(芯片接合法)，已知有使用热固性片的方法(例如专利文献1)。

专利文献1中，作为热固性片，公开了包含导电性颗粒和热固性树脂的热固性片。

在这样的方法中，例如以在半导体晶圆的一个面(与电路形成面处于相反侧的面)贴附有热固性片的状态下，对前述半导体晶圆和前述热固性片进行切割，由此可得到多个在一个面贴附有半导体元件的热固性片。

并且，在一个面贴附有半导体元件的热固性片通过在规定温度(例如70℃)下将另一个面临时粘接于前述基板的安装半导体元件的区域后，在高于此的温度(例如200℃)下进行热固化，从而粘接于前述基板。即，前述半导体元件以夹设有前述热固性片的状态粘接于前述基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-21813号公报

发明内容

发明要解决的问题

另一方面，使前述热固性片的另一个面临时粘接于前述基板时，有时无法使前述热固性片的另一个面充分密合于前述基板，在前述热固性片的另一个面与前述基板之间产生空隙。

并且，在临时粘接状态下，前述热固性片的另一个面与前述基板之间产生的空隙在使前述热固性片热固化而粘接于前述基板时仍然残留。即，在临时粘接状态下产生的空隙也会被带入粘接状态下。

如果在前述热固性片与前述基板之间产生这样的空隙，则界面处的热阻和电阻会变大，电传导和热传导变得不充分，故不优选。

然而，对于在临时粘接状态下提高前述热固性片与前述基板的密合性而言，很难说已经进行了充分的研究。

另外，在半导体装置中使用功率半导体元件时，由于功率半导体元件在大电功率下使用，因此会产生大的散热量。

因此，将如上所述的热固性片用于功率半导体元件时，在前述基板上粘接后的热固性片、即、固化后的热固性片优选具有高的热传导性。

如上所述的散热问题在使用功率半导体元件以外的半导体元件时同样会产生，但对于提高固化后的热固性片的热传导性，也很难说已经进行了充分的研究。

于是，本发明的课题在于，提供能够在临时粘接状态下提高与具有半导体元件的搭载区域的基板的密合性、并且固化后的热传导性较高的热固性片，以及具备该热固性片的切割芯片接合薄膜和半导体装置。

用于解决问题的方案

本发明的热固性片包含热固性树脂、热塑性树脂、挥发成分、以及导电性颗粒，

所述热固性片在固化前的状态下测定的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且1.2μm以下。

前述热固性片中，优选在固化前的状态下测定的最大高度粗糙度Rz为1μm以上且12μm以下。

前述热固性片中，优选固化后的前述热固性片中的前述导电性颗粒的颗粒填充率P为30体积％以上。

前述热固性片中，优选固化后的热导率为3W/m·K以上。

本发明的切割芯片接合薄膜具备：

基材层、