[发明专利]热固性片、切割芯片接合薄膜、以及半导体装置

权利要求书

1.一种热固性片，其包含热固性树脂、热塑性树脂、挥发成分、以及导电性颗粒，

所述热固性片在固化前的状态下测定的算术平均粗糙度Ra为0.1μm以上且1.2μm以下。

2.根据权利要求1所述的热固性片，其在固化前的状态下测定的最大高度粗糙度Rz为1μm以上且12μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的热固性片，其中，固化后的所述热固性片中的所述导电性颗粒的颗粒填充率P为30体积％以上。

4.根据权利要求1或2所述的热固性片，其在固化后的热导率为3W/m·K以上。

5.一种切割芯片接合薄膜，其具备：

基材层、

在该基材层上层叠有粘合剂层的切割带、以及

在所述切割带的所述粘合剂层上层叠的热固性片，

所述热固性片为权利要求1～4中任一项所述的热固性片。

6.一种半导体装置，其具备：

具有半导体元件的搭载区域的基板、以及

搭载于所述半导体元件的搭载区域的半导体元件，

所述半导体元件借助热固性片搭载于所述基板的所述半导体元件的搭载区域，

所述热固性片被固化，

所述热固性片相对于所述基板的接合率为70％以上，

所述热固性片为权利要求1～4中任一项所述的热固性片。