[发明专利]存储器单元、电容存储器结构及其方法

说明书

根据各个方面，提供了一种存储器单元，该存储器单元包括：第一电极；第二电极；以及设置在第一电极与第二电极之间的存储器结构，第一电极、第二电极和存储器结构形成存储器电容器，其中，第一电极和第二电极中的至少一个包括：包括具有第一微结构的第一材料的第一电极层；与第一电极层直接接触的功能层；以及与功能层直接接触的第二电极层，第二电极层包括具有不同于第一微结构的第二微结构的第二材料。

技术领域

各个方面涉及一种存储器单元及其方法，例如用于处理存储器单元的方法。

背景技术

总体上，在半导体行业中已经开发了各种计算机存储器技术。计算机存储器的基本构建块可被称为存储器单元。存储器单元可以是被配置为(例如，按位)存储至少一条信息的电子电路。作为示例，存储器单元可具有表示例如逻辑“1”和逻辑“0”的至少两个存储器状态。通常，信息可保持(存储)在存储器单元中，直至例如以受控方式修改存储器单元的存储器状态为止。可通过确定存储器单元处于哪个存储器状态来获得存储器单元中存储的信息。目前，可使用各种类型的存储器单元来存储数据。例如，存储器单元的类型可包括铁电材料薄膜，其极化状态可以以受控方式改变，从而例如以非易失性方式将数据存储在存储器单元中。存储器单元可与一个或多个逻辑电路一起集成在例如晶圆或芯片上。

附图说明

在附图中，相同的附图标记在不同视图中通常表示相同的部分。附图不一定按比例绘制，而是将重点通常放在示出本发明的原理上。在以下描述中，参考以下附图描述本发明的各个方面，其中：

图1示意性地示出根据各个方面的场效应晶体管结构；

图2示意性地示出根据各个方面的存储器单元的等效电路图；

图3A至图3E各自示意性地示出根据各个方面的存储器单元；

图4A示意性地示出根据各个方面的存储器电容器；

图4B示意性地示出根据各个方面的存储器单元；

图5A至图5D各自示意性地示出根据各个方面的电极；

图6A和图6B各自示意性地示出根据各个方面的存储器电容器的一部分；

图7示出根据各个方面的形成存储器电容器的方法的示意性流程图；并且

图8示出根据各个方面的形成存储器电容器的方法的示意性流程图。

具体实施方式

下面的详细描述参考附图，这些附图通过说明的方式示出可实施本发明的具体细节和方面。这些方面被足够详细地描述以使本领域技术人员能够实践本发明。在不脱离本发明的范围的情况下，可利用其他方面并可进行结构、逻辑和电气改变。各个方面不一定是相互排斥的，因为一些方面可与一个或多个其他方面结合以形成新的方面。结合方法描述了各个方面，并且结合器件(例如，存储器单元或存储器电容器)描述了各个方面。然而，可理解，结合方法描述的方面可类似地应用于器件，反之亦然。

术语“至少一个”和“一个或多个”可理解为包括大于或等于一的任何整数，即一、二、三、四、[……]等。术语“多个”或“多重”可理解为包括大于或等于二的任何整数，即二、三、四、五、[……]等。

关于一组元素，短语“至少一个”在本文中可用于表示来自由这些元素组成的组中的至少一个元素。例如，关于一组元素，短语“至少一个”在本文中可用于表示以下选择：所列举的元素之一、多个所列举的元素之一、多个单独的所列举的元素或多个所列举的元素的倍数。