[发明专利]存储器单元、电容存储器结构及其方法

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

第一电极；

第二电极；以及

存储器结构，所述存储器结构设置在所述第一电极与所述第二电极之间，

所述第一电极、所述第二电极和所述存储器结构形成存储器电容器，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括：

第一电极层，所述第一电极层包括具有第一微结构的第一材料；

功能层，所述功能层与所述第一电极层直接接触；以及

第二电极层，所述第二电极层与所述功能层直接接触，所述第二电极层包括具有不同于所述第一微结构的第二微结构的第二材料。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述第一微结构与所述第二微结构在以下各项中的至少一个方面不同：粒度、平均粒径、粒径分布、晶界数量、晶界空间密度、晶界形状、晶界化学组分、两个相邻晶粒之间的区域、缺陷含量、缺陷类型、结晶织构和/或缺陷化学组分。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述第一电极层的所述第一材料包括具有第一平均粒径、第一结晶织构和/或第一粒径分布的多个晶粒，其中，所述第二电极层的所述第二材料包括具有第二平均粒径、第二结晶织构和/或第二粒径分布的多个晶粒，并且其中，所述第一平均粒径不同于所述第二平均粒径，所述第一结晶织构不同于所述第二结晶织构，并且/或者所述第一粒径分布不同于所述第二粒径分布。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述第一电极层的所述第一材料具有第一氧重量百分比，并且所述第二电极层的所述第二材料具有不同于所述第一氧重量百分比的第二氧重量百分比。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述第一电极层的所述第一材料包括第一主要组分，并且所述第二电极层的所述第二材料包括不同于所述第一主要组分的第二主要组分。

6.根据权利要求5所述的存储器单元，

其中，所述第一材料具有第一化学组分并且所述第二材料具有第二化学组分，并且其中，所述第一化学组分在参与元素的含量和/或掺杂中的至少一个方面不同于所述第二化学组分。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述第一电极层的所述第一材料具有第一晶体结构，并且所述第二电极层的所述第二材料具有不同于所述第一晶体结构的第二晶体结构。

8.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述第一电极层的所述第一材料包括以下各项中的至少一种：铂、钽、铟、铱、铼、铑、钌、钛、锇、钼、铬、钨、铝、钴。

9.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述第二电极层的所述第二材料包括以下各项中的至少一种：铂、钽、铟、铱、铼、铑、钌、钛、锇、钼、铬、钨、铝、钴。

10.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述第一电极层具有第一厚度，并且所述第二电极层具有不同于所述第一厚度的第二厚度。

11.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述第二电极层设置为相对于所述第一电极层更接近所述存储器结构。

12.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述第一电极层具有第一电导率，并且所述第二电极层具有不同于所述第一电导率的第二电导率。

13.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述功能层是氧吸收层或氧扩散势垒层。

14.根据权利要求1所述的存储器单元，

其中，所述第一电极层具有第一氧扩散率，并且所述第二电极层具有不同于所述第一氧扩散率的第二氧扩散率。