[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括：衬底层、第一有源层以及第二有源层，第二有源层位于第一有源层背离衬底层的一侧；第一有源层和第二有源层之间设置有第一绝缘层组；第二有源层背离第一有源层的一侧设置有第二绝缘层组；第一绝缘层组的氢离子含量低于第二绝缘层组的氢离子含量；本发明通过在形成第一绝缘层组后进行第一道脱氢工艺，在形成第二绝缘层组后进行第二道脱氢工艺，使得第一绝缘层组的氢离子含量低于第二绝缘层组的氢离子含量，避免一次脱氢导致的脱氢不彻底，改善了氢离子对低温多晶硅薄膜晶体管电性的影响，提高了阵列基板的器件稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

随着可穿戴设备以及可穿戴显示领域的不断发展，在电池技术领域未得到显著突破的背景下，人们对显示设备的功耗要求越来越高。目前用于驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)技术是一种主流技术趋势，功耗较低。但是由于LTPS的载流子迁移率较大，存在漏电流较高的问题。因此LTPO(LowTemperature Polycrystalline-Si Oxide，低温多晶氧化物)技术应运而生。LTPO技术同时采用低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管作为像素驱动电路中的功能管，由于低温多晶硅薄膜晶体管迁移率高，可以加快对像素电容的充电速度，金属氧化物薄膜晶体管具有更低的漏电流，将这两种晶体管的优势相结合，形成了一种响应速度快，功耗更低的解决方案。

LTPO阵列基板同时采用了低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管。在阵列结构上，LTPO结构相对于LTPS结构增加了金属氧化物有源层、第三栅极绝缘层、第三栅极以及第二层间绝缘层。其中，无机层的材质为氮化硅和二氧化硅，在成膜及氢活化制程中掺杂了大量的氢离子。然而，对于LTPO阵列基板，由于增加了第三栅极绝缘层和第二层间绝缘层两层无机层，所以阵列膜层中氢离子的含量较高，会影响低温多晶硅薄膜晶体管的开关性能，严重影响LTPO阵列基板的整体器件水平。如果在制备完第二层间绝缘层之后进行一次脱氢工艺，将会增加制程调试难度，影响技术开发时程，而且整体膜层的厚度较厚，整体基板的尺寸较大，易造成脱氢不彻底的问题。故，有必要改善这一缺陷。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板，用于解决现有技术的阵列基板的膜层中氢离子含量较高，影响低温多晶硅薄膜晶体管的开关性能，若在制备完第二层间绝缘层之后进行一次脱氢工艺，会增加制程调试难度，还会导致脱氢不彻底的技术问题。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括：衬底层、第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管位于所述衬底层上，包括第一有源层；所述第二薄膜晶体管位于所述衬底层上，包括第二有源层，所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底层的一侧；其中，所述第一有源层和所述第二有源层之间设置有第一绝缘层组；所述第二有源层背离所述第一有源层的一侧设置有第二绝缘层组；所述第一绝缘层组的氢离子含量低于所述第二绝缘层组的氢离子含量。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第二绝缘层组上的第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过第一过孔与所述第一有源层的两端电性连接；其中，所述第一过孔包括第一子孔和第二子孔，所述第一子孔贯穿所述第二绝缘层组，所述第二子孔与所述第一子孔相连通，所述第二子孔贯穿所述第一绝缘层组。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一子孔的孔径大于所述第二子孔的孔径。

在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一子孔靠近所述第二子孔的一端的孔径为第一值，所述第二子孔靠近所述第一子孔的一端的孔径为第二值，所述第一值与所述第二值之差大于或等于2微米且小于或等于4微米。

在本发明实施例提供的阵列基板中，在所述第一源极至所述第一漏极的方向上，所述第二子孔的侧壁至所述第一有源层的夹角大于或等于60度且小于或等于80度。