[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底层；

第一薄膜晶体管，位于所述衬底层上，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层；

第二薄膜晶体管，位于所述衬底层上，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底层的一侧；

其中，所述第一有源层和所述第二有源层之间设置有第一绝缘层组；所述第二有源层背离所述第一有源层的一侧设置有第二绝缘层组；所述第一绝缘层组的氢离子含量低于所述第二绝缘层组的氢离子含量；

所述第一绝缘层组包括：

第一栅极绝缘层，位于所述第一有源层背离所述衬底层的一侧；

第二栅极绝缘层，位于所述第一栅极绝缘层背离所述第一有源层的一侧；

第一层间绝缘层，位于所述第二栅极绝缘层背离所述第一栅极绝缘层的一侧；

所述第二绝缘层组包括：

第三栅极绝缘层，位于所述第二有源层背离所述第一有源层的一侧；

第二层间绝缘层，位于所述第三栅极绝缘层背离所述第二有源层的一侧。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括位于所述第二绝缘层组上的第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极分别通过第一过孔与所述第一有源层的两端电性连接；

其中，所述第一过孔包括第一子孔和第二子孔，所述第一子孔贯穿所述第二绝缘层组，所述第二子孔与所述第一子孔相连通，所述第二子孔贯穿所述第一绝缘层组。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子孔的孔径大于所述第二子孔的孔径。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子孔靠近所述第二子孔的一端的孔径为第一值，所述第二子孔靠近所述第一子孔的一端的孔径为第二值，所述第一值与所述第二值之差大于或等于2微米且小于或等于4微米。

5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一源极至所述第一漏极的方向上，所述第二子孔的侧壁至所述第一有源层的夹角大于或等于60度且小于或等于80度。

6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二绝缘层组上的第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极与所述第一源极和所述第一漏极同层设置；所述第二源极或所述第二漏极通过所述第一过孔与所述第一有源层的一端电性连接。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层为低温多晶硅，所述第二有源层为金属氧化物。

8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在衬底层上制备第一薄膜晶体管的第一有源层；

在所述第一有源层背离所述衬底层的一侧制备第一绝缘层组；

制备所述第一绝缘层组包括步骤：在所述第一有源层背离所述衬底层的一侧制备第一栅极绝缘层；在所述第一栅极绝缘层背离所述第一有源层的一侧制备第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层背离所述第一栅极绝缘层的一侧制备第一层间绝缘层；

对所述第一绝缘层组进行第一道脱氢工艺；

在所述第一绝缘层组背离所述第一有源层的一侧制备第二薄膜晶体管的第二有源层；

在所述第二有源层背离所述第一绝缘层组的一侧制备第二绝缘层组；

制备所述第二绝缘层组包括步骤：在所述第二有源层背离所述第一绝缘层组的一侧制备第三栅极绝缘层；在所述第三栅极绝缘层背离所述第二有源层的一侧制备第二层间绝缘层；

对所述第一绝缘层组和所述第二绝缘层组进行第二道脱氢工艺，其中，所述第一绝缘层组的氢离子含量低于所述第二绝缘层组的氢离子含量。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板。