[发明专利]图像传感器

说明书

提供了一种图像传感器。该图像传感器包括：像素分离结构，设置在半导体基底中，并且限定多个像素区域；第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在半导体基底中，并且设置在多个像素区域中的每个中；以及多个微透镜，设置在半导体基底上，并且与多个像素区域对应。半导体基底包括朝向多个微透镜凸起的多个弯曲表面，并且半导体基底在多个像素区域中的每个中的第一光电转换区域和第二光电转换区域之间具有最小厚度，并且在多个像素区域之间的边界处具有最大厚度。

本申请基于并要求于2020年12月14日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0174406号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

公开涉及一种图像传感器，更特别地，涉及一种提供自动聚焦操作的图像传感器。

背景技术

图像传感器将光子图像转换为电信号。计算机和通信产业的最新进展已经引起对各种消费电子装置(诸如数字相机、摄像机、PCS(个人通信系统)、游戏控制台、安全相机和医疗微型相机)中的高性能图像传感器的强烈需求。

图像传感器可以被分类为电荷耦合器件(CCD)或CMOS图像传感器。CMOS图像传感器具有简单的操作方法，并且因为其信号处理电路被集成到单个芯片中，所以其产品的尺寸可以被可能地最小化。此外，CMOS图像传感器可以需要相对小的功耗，这可以用于电池供电的应用中。此外，由于制造CMOS图像传感器的工艺技术与CMOS工艺技术兼容，因此CMOS图像传感器可以降低制造成本。因此，由于技术的进步和高分辨率的实现，CMOS图像传感器的使用已经迅速增加。

发明内容

提供了一种具有改善的光学和电学特性的图像传感器。

发明构思的目的不限于以上提及的内容，并且根据下面的描述，本领域技术人员将清楚地理解以上未提及的其他目的。

根据实施例，图像传感器包括：像素分离结构，设置在半导体基底中，并且限定多个像素区域；第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在半导体基底中，并且设置在多个像素区域中的每个中；以及多个微透镜，设置在半导体基底上，并与多个像素区域对应。半导体基底包括朝向多个微透镜凸起的多个弯曲表面，并且半导体基底在多个像素区域中的每个中的第一光电转换区域和第二光电转换区域之间具有最小厚度，并且在多个像素区域之间的边界处具有最大厚度。

根据实施例，图像传感器包括：半导体基底，包括前表面和后表面；像素分离结构，设置在半导体基底中，并且限定像素区域；第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在像素区域中；以及微透镜，与像素区域对应，并且设置在半导体基底的后表面上。半导体基底的后表面包括分别与第一光电转换区域和第二光电转换区域对应的第一弯曲表面和第二弯曲表面，并且第一弯曲表面与第二弯曲表面镜像对称。

根据实施例，图像传感器包括：半导体基底，包括前表面和后表面；像素分离结构，设置在半导体基底中，并且限定多个像素区域；第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在半导体基底中，并且设置在多个像素区域中的每个中。图像传感器还包括：多个微透镜，设置在半导体基底的后表面上，并且与多个像素区域对应；多个滤色器，置于多个微透镜与半导体基底之间，滤色器与多个像素区域对应；网格结构，置于多个滤色器之间；以及多个读出电路，设置在半导体基底的前表面上，并且连接到第一光电转换区域和第二光电转换区域。半导体基底的后表面包括分别与第一光电转换区域和第二光电转换区域对应的第一弯曲表面和第二弯曲表面，并且第一弯曲表面与第二弯曲表面镜像对称。

附图说明

图1示出了示出根据实施例的图像传感器的框图。

图2示出了示出根据实施例的图像传感器的自动聚焦操作的图。

图3示出了示出根据实施例的图像传感器的有源像素传感器阵列的电路图。

图4示出了示出根据实施例的图像传感器的简化平面图。