[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：

像素分离结构，设置在半导体基底中，并且限定多个像素区域；

第一光电转换区域和第二光电转换区域，设置在半导体基底中，并且设置在所述多个像素区域中的每个像素区域中；以及

多个微透镜，设置在半导体基底上，并且与所述多个像素区域对应，

其中，半导体基底包括朝向所述多个微透镜凸起的多个弯曲表面，并且

其中，半导体基底在所述多个像素区域中的每个像素区域中的第一光电转换区域和第二光电转换区域之间具有最小厚度，并且在所述多个像素区域之间的边界处具有最大厚度。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述多个像素区域中的每个像素区域的中心在第一光电转换区域与第二光电转换区域之间，并且

半导体基底的所述多个弯曲表面中的相邻的弯曲表面之间的接触点在所述多个像素区域中的相应的像素区域的中心上。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述多个像素区域中的每个像素区域中，半导体基底的厚度从所述多个像素区域中的相应的像素区域的中心到所述多个像素区域之间的边界逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述多个像素区域中的每个像素区域中，所述多个微透镜中的相应的微透镜的中心在半导体基底的所述多个弯曲表面中的相邻的弯曲表面之间的接触点上。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素分离结构包括：

多个第一像素隔离部，在第一方向上延伸并且彼此间隔开；以及

多个第二像素隔离部，延伸跨过所述多个第一像素隔离部，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且彼此间隔开，

其中，在所述多个像素区域中的每个像素区域中，半导体基底的所述多个弯曲表面中的相邻的弯曲表面之间的接触点距所述多个第一像素隔离部中的一对第一像素隔离部的距离基本上相同。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括多个滤色器，所述多个滤色器置于所述多个微透镜与半导体基底的所述多个弯曲表面之间，

其中，所述多个滤色器包括平坦的顶表面和覆盖所述多个弯曲表面的底表面。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括分离杂质区域，分离杂质区域置于所述多个像素区域中的每个像素区域中的第一光电转换区域和第二光电转换区域之间。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述像素分离结构包括：

多个第一像素隔离部，在第一方向上延伸并且彼此间隔开；以及

多个第二像素隔离部，延伸跨过所述多个第一像素隔离部，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且彼此间隔开，

其中，所述多个像素区域中的每个像素区域由所述多个第一像素隔离部中的一对第一像素隔离部和所述多个第二像素隔离部中的一对第二像素隔离部限定，并且

其中，所述多个第一像素隔离部对应地在半导体基底的所述多个弯曲表面的中心上。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中，所述像素分离结构还包括多个突起，所述多个突起从所述多个第一像素隔离部中的对应的第一像素隔离部沿着第二方向朝向置于所述多个像素区域中的每个像素区域中的第一光电转换区域和第二光电转换区域之间的空间突出。

10.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器还包括第三光电转换区域和第四光电转换区域，第三光电转换区域和第四光电转换区域在所述多个像素区域中的每个像素区域中设置在半导体基底中，

其中，所述多个像素区域沿着第一方向和与第一方向交叉的第二方向布置，并且

其中，在所述多个像素区域中的每个像素区域中，半导体基底的厚度沿着第一方向和第二方向随着从像素中心点接近所述多个像素区域之间的边界逐渐增大。