[发明专利]表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法

权利要求书

1.一种表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法，其特征在于，所述表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法包括以下步骤：

提供至少一层表面粗糙的多晶硅结构，一层所述多晶硅结构包括表面粗糙的多晶硅层和覆盖在所述多晶硅层粗糙面上的介质层，所述介质层的形貌与所述多晶硅层的粗糙面形貌一致；

使得所述介质层上形成抗反射层；

通过光刻工艺，在所述反射层上定义出刻蚀图案，所述刻蚀图案包括刻蚀区和保护区；

基于所述刻蚀图案，进行第一刻蚀，刻蚀去除所述刻蚀区位置处的抗反射层，形成位于所述介质层中的第一刻蚀停止面，所述第一刻蚀停止面表面平滑；

基于所述刻蚀图案，进行各向同性的第二刻蚀，刻蚀去除所述刻蚀区位置处剩余的介质层；

基于所述刻蚀图案，刻蚀去除所述刻蚀区位置处的多晶硅层。

2.如权利要求1所述的表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法，其特征在于，在同一刻蚀条件下，对所述抗反射层的刻蚀速率大于对所述介质层的刻蚀速率。

3.如权利要求2所述的表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法，其特征在于，在同一刻蚀条件下，对所述抗反射层的刻蚀速率是对所述介质层的刻蚀速率的6倍至8倍。

4.如权利要求1所述的表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法，其特征在于，所述基于所述刻蚀图案，刻蚀去除所述刻蚀区位置处的多晶硅层的步骤，包括：

基于所述刻蚀图案，以第一刻蚀速率，从所述刻蚀区位置处的多晶硅层的上表面开始进行多晶硅层主体刻蚀，形成位于所述多晶硅层中的第二刻蚀停止面；

基于所述刻蚀图案，以第二刻蚀速率，从所述第二刻蚀停止面开始进行多晶硅层底部刻蚀；

基于所述刻蚀图案，以第三刻蚀速率，刻蚀去除所述多晶硅层中剩余的多晶硅。

5.如权利要求4所述的表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法，其特征在于，在同一刻蚀条件下，所述第二刻蚀速率大于所述第一刻蚀速率。

6.如权利要求5所述的表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法，其特征在于，在同一刻蚀条件下，所述第三刻蚀速率大于所述第二刻蚀速率。

7.如权利要求1所述的表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法，其特征在于，所述基于所述刻蚀图案，进行各向同性的第二刻蚀，刻蚀去除所述刻蚀区位置处剩余的介质层的步骤，包括：

基于所述刻蚀图案，以功率范围为200W至500W的源功率，进行各向同性的第二刻蚀，刻蚀去除所述刻蚀区位置处剩余的介质层。

8.如权利要求7所述的表面粗糙的多晶硅结构的刻蚀方法，其特征在于，所述基于所述刻蚀图案，进行各向同性的第二刻蚀，刻蚀去除所述刻蚀区位置处剩余的介质层的步骤，包括：

基于所述刻蚀图案，以电压范围为-10V至10V的偏置电压，进行各向同性的第二刻蚀，刻蚀去除所述刻蚀区位置处剩余的介质层。