[发明专利]高性能整流电路

说明书

高性能整流电路，本发明涉及电子技术。本发明包括：第一MOS管，其一个电流连接端接第一交流输入端，另一个电流连接端接直流输出端，控制端通过二极管接直流输出端；第二MOS管，其一个电流连接端接第二交流输入端，另一个电流连接端接直流输出端，控制端通过二极管接直流输出端；第三MOS管，其一个电流连接端接第一交流输入端，另一个电流连接端接地，控制端接第二交流输入端；还包括第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管所述二极管由MOS管构成。本发明有效的降低了整流电路中阈值损失，减少了衬偏效应产生的电压降损耗。

技术领域

本发明涉及电子技术，具体涉及一种高性能整流电路。

背景技术

参见图1~图3所示的3种现有技术。RFID的电路的特点，图中的地均为虚地，并不是整个电路的电势最低点，假设anten1为射频输入信号正半周最高点，则anten2为射频输入信号负半周最低点，所有内部电路消耗的电流进入虚地，再从虚地进入anten2，构成闭合的电路通路。

图1是传统形式的桥式整流电路， 此时电流流向为anten1-m1-vdd-RL-地-m3M4-anten2。可以看到从anten1到vdd在M1处会损耗一个Vt的电压降，从虚地到anten2的通路在M3、M4上会损耗一个Vt的电压降。因此，此电路会损耗2Vt电压。

图2通过在负半周桥采用交叉NMOS做开关，消除了虚地至anten2的Vt损耗，但在正半周桥，从anten1至vdd的通路在M1上存在一个Vt的损耗。

图3通过正负半周均交叉的方式，消除了Vt损耗，但带来的新问题是，RFID接收脉冲调制信号的时候，由于RF1、RF2电压均为0V，此时M1、M2会变为导通状态，储存在CL的电荷会大量倒灌出来，导致vdd电压下降，甚至整个电路掉电。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种具有低电压损耗的高性能整流电路。

本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，高性能整流电路，包括下述部分：

第一MOS管，其一个电流连接端接第一交流输入端，另一个电流连接端接直流输出端，控制端通过二极管接直流输出端；

第二MOS管，其一个电流连接端接第二交流输入端，另一个电流连接端接直流输出端，控制端通过二极管接直流输出端；

第三MOS管，其一个电流连接端接第一交流输入端，另一个电流连接端接地，控制端接第二交流输入端；

第四MOS管，其一个电流连接端接第二交流输入端，另一个电流连接端接地，控制端接第一交流输入端；

第五MOS管，其控制端接第一交流输入端，一个电流连接端接地，另一个电流连接端通过一个电阻接第一MOS管的控制端；

第六MOS管，其控制端接第二交流输入端，一个电流连接端接地，另一个电流连接端通过一个电阻接第二MOS管的控制端；

所述二极管由MOS管构成，具体的说，所述二极管由一个MOS管构成，该MOS管的一个电流连接端和控制端相连接。

本发明有效的降低了整流电路中阈值损失，减少了衬偏效应产生的电压降损耗。

附图说明

图1是普通NMOS二极管连接型桥式整流电路的电路图。

图2是NMOS栅交叉连接型桥式整流电路的电路图。

图3是CMOS栅交叉连接型桥式整流电路的电路图。

图4是本发明的实施例1的电路图。

图5是本发明的实施例2的电路图。

图6是本发明的实施例3的电路图。

具体实施方式