[发明专利]高性能整流电路有效
| 申请号： | 202111218681.5 | 申请日： | 2021-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN113659858B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 毛军华 | 申请（专利权）人： | 成都凯路威电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/219 | 分类号： | H02M7/219 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610041 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 性能 整流 电路 | ||
1.高性能整流电路，其特征在于，包括下述部分：
第一MOS管，其一个电流连接端接第一交流输入端，另一个电流连接端接直流输出端，控制端通过二极管接直流输出端；
第二MOS管，其一个电流连接端接第二交流输入端，另一个电流连接端接直流输出端，控制端通过二极管接直流输出端；
第三MOS管，其一个电流连接端接第一交流输入端，另一个电流连接端接地，控制端接第二交流输入端；
第四MOS管，其一个电流连接端接第二交流输入端，另一个电流连接端接地，控制端接第一交流输入端；
第五MOS管，其控制端接第一交流输入端，一个电流连接端接地，另一个电流连接端通过一个电阻接第一MOS管的控制端；
第六MOS管，其控制端接第二交流输入端，一个电流连接端接地，另一个电流连接端通过一个电阻接第二MOS管的控制端；
所述二极管由MOS管构成。
2.如权利要求1所述的高性能整流电路，其特征在于，第五MOS管和第六MOS管通过电阻连接到同一个公共二极管，所述公共二极管亦为连接第一MOS管控制端和直流输出端的二极管，所述公共二极管亦为连接第二MOS管控制端和直流输出端的二极管。
3.如权利要求1所述的高性能整流电路，其特征在于，所述二极管由一个MOS管构成，该MOS管的一个电流连接端和控制端相连接。
4.如权利要求1所述的高性能整流电路，其特征在于，
第一MOS管的控制端通过第一二极管接第八MOS管的一个电流连接端，第八MOS管的另一个电流连接端连接直流输出端，第八MOS管的控制端接第一交流输入端；
第二MOS管的控制端通过第二二极管接第九MOS管的一个电流连接端，第九MOS管的另一个电流连接端连接直流输出端，第九MOS管的控制端接第二交流输入端。
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