[发明专利]提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法

权利要求书

1.一种提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，其特征在于，所述提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长第一AlN层与第二AlN层，所述第二AlN层的生长温度比所述第一AlN层的生长温度高100～300℃；

在所述第二AlN层上依次生长AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层；

生长所述第二AlN层，包括：

以氩气作为载气向反应腔通入Al源与反应气体以生长AlN膜层；

关闭Al源与反应气体；

在温度为1050～1250℃的条件下向所述反应腔通入氢气处理所述AlN膜层；

重复以上步骤直至得到所述第二AlN层。

2.根据权利要求1所述的提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，其特征在于，每个所述AlN膜层的厚度为5～10nm。

3.根据权利要求1所述的提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，其特征在于，在温度为1050～1250℃的条件下向所述反应腔通入氢气处理所述AlN膜层的时长为5～10s。

4.根据权利要求1～3任一项所述的提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，其特征在于，所述第二AlN层的厚度为100～200nm。

5.根据权利要求1～3任一项所述的提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，其特征在于，生长所述AlGaN缓冲层，包括：

以氩气作为载气向所述反应腔通入Al源、Ga源与反应气体以生长AlGaN膜层；

关闭Al源、Ga源与反应气体；

在温度为1050～1250℃的条件下向所述反应腔通入氢气处理所述AlGaN膜层；

重复以上步骤直至得到所述AlGaN层。

6.根据权利要求5所述的提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，其特征在于，所述AlGaN膜层的厚度为20～50nm。

7.根据权利要求5所述的提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，其特征在于，所述以氩气作为载气向反应腔通入Al源、Ga源与反应气体以生长AlGaN膜层，还包括：

以氩气作为载气向所述反应腔通入Al源、Ga源、Fe源与反应气体以生长AlGaN膜层。

8.根据权利要求7所述的提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，其特征在于，所述Fe源的流量为50-200sccm。

9.根据权利要求1～3任一项所述的提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，其特征在于，

所述第一AlN层的生长温度为800～1000℃，所述第二AlN层的生长温度为1050～1250℃，所述第一AlN层的厚度为50～100nm。

10.根据权利要求1～3任一项所述的提高高电子迁移率晶体管外延片的质量的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述衬底上依次生长第一AlN层与第二AlN层之前，在所述衬底预铺一层Al原子。