[发明专利]器件及其形成方法

说明书

本发明公开了一种器件及其形成方法。器件包括基本上包括由膜形成的第一膜的第一密封构件、第二密封构件、包括第一接触点的第一电路构件和包括第二接触点的第二电路构件。该器件形成有封闭空间，该封闭空间由第一密封构件和第二密封构件所围成且与器件外的外部空间隔绝。第一电路构件和第二电路构件被封闭在封闭空间中。第一密封构件和第二密封构件中的至少一个设有凹凸部。凹凸部与第一电路构件和第二电路构件中的至少一个接触，并覆盖与第一接触点和第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。本发明整个器件的厚度可以做得非常薄。

技术领域

本发明涉及一种包括由薄膜密封的电路构件的器件。

背景技术

例如，在JP2001-332654A(专利文献1)中公开了一种可以做得更薄的器件，其内容通过引用结合在此。

参考图23，专利文献1公开了具有内置半导体芯片的模块(器件)90。器件90包括热固性树脂组合物(密封树脂)92，以及包括半导体芯片96和布线图案98的电路构件94。密封树脂92形成为使得电路构件94嵌入其中。然后，打磨密封树脂92的表面，以使器件90变薄。

但是，对于包括电路构件的器件来说，需要进一步减小厚度。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种可以做得更薄的新器件。

本发明一方面提供了一种器件，包括第一密封构件、第二密封构件、第一电路构件和第二电路构件。所述第一密封构件基本上包括由薄膜形成的第一膜。所述器件形成有封闭空间。所述封闭空间由所述第一密封构件和所述第二密封构件所围成，并与所述器件外的外部空间隔绝。所述第一电路构件和所述第二电路构件封闭于所述封闭空间内。所述第一电路构件包括第一接触点。所述第二电路构件包括第二接触点。所述第一接触点与所述第二接触点彼此相互接触。所述第一密封构件和所述第二密封构件中的至少一个设有凹凸部。所述凹凸部与所述第一电路构件和所述第二电路构件中的至少一个相接触，并且覆盖与所述第一接触点和所述第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。

本发明另一方面提供了一种器件的形成方法，所述器件包括第一密封构件、第二密封构件、第一电路构件和第二电路构件。所述形成方法包括准备步骤、层叠步骤、封闭步骤和抽真空步骤。在准备步骤中，准备所述第一密封构件、所述第二密封构件、所述第一电路构件和所述第二电路构件。所述第一密封构件基本上包括由膜形成的第一膜。所述第一膜设有空气阀。所述第一密封构件和所述第二密封构件中的至少一个具有凹凸部。所述第一电路构件包括第一接触点。所述第二电路构件包括第二接触点。在层叠步骤中，将所述第一密封构件、所述第一电路构件、所述第二电路构件和所述第二密封构件依次层叠在一起。所述第一接触点与所述第二接触点彼此相对。所述凹凸部朝向所述第一电路构件和所述第二电路构件中的至少一个。所述凹凸部覆盖与所述第一接触点和所述第二接触点中的至少一个相对应的预定区域。在封闭步骤中，将所述第一电路构件和所述第二电路构件封闭在形成于所述器件内的内部空间中。所述内部空间由所述第一密封构件和所述第二密封构件所围成，并且除了所述空气阀，与所述器件外的外部空间隔绝。在抽真空步骤中，使用所述空气阀对所述内部空间抽真空，以使所述第一接触点和所述第二接触点相互接触。

根据本发明一方面的器件，第一密封构件和第二密封构件彼此重叠，同时第一电路构件和第二电路构件(以下简称为“电路构件”)夹在其间。第一密封构件基本上由膜形成。此外，每个电路构件的结构不受限制，只是每个电路构件应设有接触点。因此，本发明一方面的各电路构件都具有简单的结构，且可以由各种材料形成。例如，每个电路构件可以是形成有具有接触点的导电图案的绝缘膜。在这种情况下，整个器件的厚度可以做得非常薄。因此，本发明一方面提供了一种可以做得更薄的新器件。

附图说明

图1是本发明实施例器件的立体图，其中，第一密封构件与第二密封构件之间形成的接触区域的边界线用虚线示出，且由点划线包围的器件的一部分被放大示出。

图2是图1所示器件的立体图，其中，第一密封构件被移除，且接触区域的边界线用虚线示出。