[发明专利]存储器的形成方法以及三维存储器

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底和层叠结构，所述层叠结构位于所述衬底的裸露表面上，所述层叠结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层；

在所述层叠结构的裸露表面上形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层包括狭缝区和至少位于所述狭缝区一侧的边缘区，所述狭缝区包括贯穿至所述层叠结构表面的多个沟道，所述边缘区包括第一凹槽和/或孔洞；

以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述层叠结构，形成多个栅极线狭缝；

去除所述图形化掩膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽的关键尺寸小于所述沟道的关键尺寸，所述孔洞的关键尺寸小于所述沟道的关键尺寸。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，各所述沟道的关键尺寸相同。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述狭缝区有多个，所述边缘区有多个，部分的所述边缘区位于相邻的两个所述狭缝区之间，其他的所述边缘区位于所述狭缝区的边缘。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述层叠结构的裸露表面上形成图形化掩膜层，包括：

在所述层叠结构的裸露表面上依次形成掩膜材料层以及光刻胶层；

去除部分的所述光刻胶层，以在所述光刻胶层的表面上形成贯穿至所述掩膜材料层表面的多个第一开口和至少一个第二开口，剩余的所述光刻胶层为光刻胶部；

以所述光刻胶部为掩膜刻蚀所述掩膜材料层，形成所述图形化掩膜层，其中，所述第一开口对应所述沟道，所述第二开口对应所述第一凹槽和/或孔洞；

去除所述光刻胶部。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述层叠结构的裸露表面上形成掩膜材料层，包括：

在所述层叠结构的裸露表面上形成第一子掩膜材料层；

在所述第一子掩膜材料层的裸露表面上形成第二子掩膜材料层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一子掩膜层的材料包括碳，所述第二子掩膜层的材料包括氮氧化硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述层叠结构，形成多个栅极线狭缝之后，所述存储器的形成方法还包括：

采用多个导电层置换所有的所述牺牲层，形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替设置的所述导电层和所述绝缘介质层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用多个导电层置换所有的所述牺牲层，包括：

采用磷酸去除各所述牺牲层，形成多个第二凹槽；

在所述第二凹槽中填充导电材料，形成所述导电层。

10.一种三维存储器，其特征在于，包括：

基底，包括衬底和层叠结构，所述层叠结构位于所述衬底的裸露表面上，所述层叠结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层；

多个栅极线狭缝，位于所述基底中，所述栅极线狭缝贯穿所述层叠结构至所述衬底的表面，各所述栅极线狭缝的孔深相同，位于第一区域的所述栅极线狭缝的孔径为第一孔径，位于第二区域的边缘的所述栅极线狭缝的孔径为第二孔径，所述第一孔径与所述第二孔径的差值的绝对值小于或者等于1nm，所述第一区域为所述基底的边缘，所述第二区域为所述基底的除所述第一区域之外的区域。