[发明专利]一种一次性体温检测芯片及测温系统在审
| 申请号: | 202111210547.0 | 申请日: | 2021-10-18 |
| 公开(公告)号: | CN114166376A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 李京波;李翎;王小周;肖宛昂 | 申请(专利权)人: | 浙江芯科半导体有限公司 |
| 主分类号: | G01K13/20 | 分类号: | G01K13/20 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 王海栋 |
| 地址: | 311421 浙江省杭州市富*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 一次性 体温 检测 芯片 测温 系统 | ||
1.一种一次性体温检测芯片,其特征在于,包括并联设置的N(N≥2)组感温子电路(11),每组感温子电路(11)包括:第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)和第一PNP管(PNP1),其中,
所述第一MOS管(M1)的源极连接电源电压(VDD),所述第一MOS管(M1)的栅极输入第一开关电压(VB1),所述第一MOS管(M1)的漏极连接所述第二MOS管(M2)的源极;
所述第二MOS管(M2)的栅极输入第二开关电压(VB2),所述第二MOS管(M2)的漏极连接所述第三MOS管(M3)的漏极和所述第四MOS管(M4)的漏极;
所述第三MOS管(M3)的栅极输入第一开关信号(S1),所述第三MOS管(M3)的源极连接所述第四MOS管(M4)的源极、所述第一PNP管(PNP1)的发射极;
所述第四MOS管(M4)的栅极输入第二开关信号(S1B);
所述第一PNP管(PNP1)的集电极连接其基极。
2.根据权利要求1所述的一次性体温检测芯片,其特征在于,所述第1组感温子电路的偏置电流为Ibias,所述第N组感温子电路的偏置电流为P*Ibias。
3.根据权利要求1所述的一次性体温检测芯片,其特征在于,所述第i(i=1、2…N)组感温子电路输出具有绝对温度成互补关系特性的目标电压量VBE:
其中,k为玻尔兹曼常数,T为开尔文温度,q为电荷量,IC为集电极电流,IS为PNP管的饱和电流;
所述第1组感温子电路与所述第N组感温子电路之间输出具有绝对温度成正比特性的目标电压差ΔVBE:
其中,k为玻尔兹曼常数,T为开尔文温度,q为电荷量,p为Ibias电流。
4.一种基于一次性体温检测芯片的测温系统,其特征在于,包括:感温电路(1)、温度转化电路(2)、控制电路(3)和显示终端(5),其中,
所述感温电路(1)用于采集人体温度,并将所述温度转化为目标电压量和目标电压差,所述感温电路(1)采用如权利要求1~3任一项所述的一次性体温检测芯片;
所述温度转化电路(2)与所述感温电路(1)连接,用于根据控制信号对所述目标电压量和所述目标电压差进行计算,得到温度信息;
所述控制电路(3)与所述温度转化电路(2)连接,用于产生所述控制信号;
所述显示终端(5)与所述温度转化电路(2)连接,用于显示所述温度信息。
5.根据权利要求4所述的基于一次性体温检测芯片的测温系统,其特征在于,所述温度信息的计算过程为:
将所述目标电压量和所述目标电压差按增益系数相加,得到与温度无关的基准电压VREF:
VREF=VBE+α·ΔVBE
其中,α为增益系数,VBE为目标电压量,ΔVBE为目标电压差;
根据所述基准电压VREF计算αΔVBE(PTAT)电压与所述基准电压VREF的比值μ:
其中,μ是PTAT数字量;
对所述比值μ进行线性变换,得到所述温度信息Dout:
Dout=A·μ+B
其中,A、B是固定常数。
6.根据权利要求4所述的基于一次性体温检测芯片的测温系统,其特征在于,所述温度信息的精度为±0.1℃。
7.根据权利要求4所述的基于一次性体温检测芯片的测温系统,其特征在于,还包括无线传输电路(4),所述无线传输电路(4)连接在所述显示终端(5)和所述温度转化电路(2)之间,用于传输所述温度信息。
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