[发明专利]一种一次性体温检测芯片及测温系统在审

专利信息
申请号: 202111210547.0 申请日: 2021-10-18
公开(公告)号: CN114166376A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 李京波;李翎;王小周;肖宛昂 申请(专利权)人: 浙江芯科半导体有限公司
主分类号: G01K13/20 分类号: G01K13/20
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 王海栋
地址: 311421 浙江省杭州市富*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 一次性 体温 检测 芯片 测温 系统
【权利要求书】:

1.一种一次性体温检测芯片,其特征在于,包括并联设置的N(N≥2)组感温子电路(11),每组感温子电路(11)包括:第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)和第一PNP管(PNP1),其中,

所述第一MOS管(M1)的源极连接电源电压(VDD),所述第一MOS管(M1)的栅极输入第一开关电压(VB1),所述第一MOS管(M1)的漏极连接所述第二MOS管(M2)的源极;

所述第二MOS管(M2)的栅极输入第二开关电压(VB2),所述第二MOS管(M2)的漏极连接所述第三MOS管(M3)的漏极和所述第四MOS管(M4)的漏极;

所述第三MOS管(M3)的栅极输入第一开关信号(S1),所述第三MOS管(M3)的源极连接所述第四MOS管(M4)的源极、所述第一PNP管(PNP1)的发射极;

所述第四MOS管(M4)的栅极输入第二开关信号(S1B);

所述第一PNP管(PNP1)的集电极连接其基极。

2.根据权利要求1所述的一次性体温检测芯片,其特征在于,所述第1组感温子电路的偏置电流为Ibias,所述第N组感温子电路的偏置电流为P*Ibias。

3.根据权利要求1所述的一次性体温检测芯片,其特征在于,所述第i(i=1、2…N)组感温子电路输出具有绝对温度成互补关系特性的目标电压量VBE

其中,k为玻尔兹曼常数,T为开尔文温度,q为电荷量,IC为集电极电流,IS为PNP管的饱和电流;

所述第1组感温子电路与所述第N组感温子电路之间输出具有绝对温度成正比特性的目标电压差ΔVBE

其中,k为玻尔兹曼常数,T为开尔文温度,q为电荷量,p为Ibias电流。

4.一种基于一次性体温检测芯片的测温系统,其特征在于,包括:感温电路(1)、温度转化电路(2)、控制电路(3)和显示终端(5),其中,

所述感温电路(1)用于采集人体温度,并将所述温度转化为目标电压量和目标电压差,所述感温电路(1)采用如权利要求1~3任一项所述的一次性体温检测芯片;

所述温度转化电路(2)与所述感温电路(1)连接,用于根据控制信号对所述目标电压量和所述目标电压差进行计算,得到温度信息;

所述控制电路(3)与所述温度转化电路(2)连接,用于产生所述控制信号;

所述显示终端(5)与所述温度转化电路(2)连接,用于显示所述温度信息。

5.根据权利要求4所述的基于一次性体温检测芯片的测温系统,其特征在于,所述温度信息的计算过程为:

将所述目标电压量和所述目标电压差按增益系数相加,得到与温度无关的基准电压VREF

VREF=VBE+α·ΔVBE

其中,α为增益系数,VBE为目标电压量,ΔVBE为目标电压差;

根据所述基准电压VREF计算αΔVBE(PTAT)电压与所述基准电压VREF的比值μ:

其中,μ是PTAT数字量;

对所述比值μ进行线性变换,得到所述温度信息Dout

Dout=A·μ+B

其中,A、B是固定常数。

6.根据权利要求4所述的基于一次性体温检测芯片的测温系统,其特征在于,所述温度信息的精度为±0.1℃。

7.根据权利要求4所述的基于一次性体温检测芯片的测温系统,其特征在于,还包括无线传输电路(4),所述无线传输电路(4)连接在所述显示终端(5)和所述温度转化电路(2)之间,用于传输所述温度信息。

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