[发明专利]半导体装置和包括其的电子系统在审
申请号: | 202111210405.4 | 申请日: | 2021-10-18 |
公开(公告)号: | CN114446985A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 黄盛珉;金智源;安在昊;任峻成;成锡江 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;肖学蕊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 包括 电子 系统 | ||
1.一种半导体装置,其包括堆叠在外围电路结构上的单元结构,其中:
所述单元结构包括:
多个栅电极层,其堆叠在第一衬底上;
多个沟道区,其竖直穿过所述多个栅电极层;
第一层间电介质层,其位于所述第一衬底上并且覆盖所述多个栅电极层和所述多个沟道区;以及
多个第一金属焊盘,其在所述第一层间电介质层处暴露并且连接至所述多个栅电极层和所述多个沟道区,
所述外围电路结构包括:
至少一个晶体管,其位于第二衬底上;
第二层间电介质层,其位于所述第二衬底上并且覆盖所述至少一个晶体管;以及
多个第二金属焊盘,其在所述第二层间电介质层处暴露并且连接至所述至少一个晶体管,
所述多个第一金属焊盘包括彼此邻近的至少一个第一子焊盘和至少一个第二子焊盘,
所述多个第二金属焊盘包括彼此邻近的至少一个第三子焊盘和至少一个第四子焊盘,
所述至少一个第一子焊盘和所述至少一个第三子焊盘彼此耦接,并且所述至少一个第一子焊盘的宽度大于所述至少一个第三子焊盘的宽度,以及
所述至少一个第二子焊盘和所述至少一个第四子焊盘彼此耦接,并且所述至少一个第四子焊盘的宽度大于所述至少一个第二子焊盘的宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,在所述第一层间电介质层与所述第二层间电介质层之间的界面处:
所述至少一个第一子焊盘的面积大于所述至少一个第三子焊盘的面积,使得当在平面图中看时,所述至少一个第三子焊盘位于所述至少一个第一子焊盘的内侧中,并且
所述至少一个第四子焊盘的面积大于所述至少一个第二子焊盘的面积,并且当在平面图中看时,所述至少一个第二子焊盘位于所述至少一个第四子焊盘的内侧中。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
所述至少一个第一子焊盘包括多个第一子焊盘,所述至少一个第二子焊盘包括多个第二子焊盘,所述至少一个第三子焊盘包括多个第三子焊盘,并且所述至少一个第四子焊盘包括多个第四子焊盘,并且
所述多个第一子焊盘和所述多个第二子焊盘在平行于所述第一衬底的顶表面的一个方向上交替地布置。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
所述至少一个第一子焊盘包括多个第一子焊盘,所述至少一个第二子焊盘包括多个第二子焊盘,所述至少一个第三子焊盘包括多个第三子焊盘,并且所述至少一个第四子焊盘包括多个第四子焊盘,
所述多个第一子焊盘位于所述第一衬底的第一区上,并且
所述多个第二子焊盘位于所述第一衬底的第二区上。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
所述多个第一金属焊盘还包括所述至少一个第一子焊盘与所述至少一个第二子焊盘之间的第五子焊盘,
所述多个第二金属焊盘还包括所述至少一个第三子焊盘与所述至少一个第四子焊盘之间的第六子焊盘,
所述第五子焊盘耦接至所述第六子焊盘,并且
所述第五子焊盘的宽度与所述第六子焊盘的宽度相同。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,所述第五子焊盘和所述第六子焊盘彼此竖直地对准。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,在所述第一层间电介质层与所述第二层间电介质层之间的界面处:
所述至少一个第一子焊盘和所述至少一个第三子焊盘构成由相同材料形成的单个主体,并且
所述至少一个第二子焊盘和所述至少一个第四子焊盘构成由相同材料形成的单个主体。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:
所述至少一个第一子焊盘的宽度大于所述至少一个第二子焊盘的宽度,并且
所述至少一个第三子焊盘的宽度小于所述至少一个第四子焊盘的宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的