[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202111208663.9 | 申请日: | 2021-10-18 |
公开(公告)号: | CN114447005A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 朴仁用;金珉宽;赵寅成;金真亨;朴多美;尹基相 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 程丹辰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
一种图像传感器包括:第一衬底,包括聚焦像素区域和在聚焦像素区域周围的像素区域,聚焦像素区域和像素区域中的每个包括至少一个光电转换区域;滤色器,分别提供在聚焦像素区域和像素区域上,并提供在第一衬底的第一表面上;以及微透镜,分别提供在滤色器上。微透镜包括在聚焦像素区域上的自动聚焦透镜、与自动聚焦透镜相邻的第一微透镜、以及与自动聚焦透镜间隔开的标准微透镜。
技术领域
本公开涉及图像传感器,具体地,涉及图像传感器的微透镜。
背景技术
图像传感器是将光学图像转换成电信号的器件。图像传感器分为两种类型:电荷耦合器件(CCD)型和互补金属氧化物半导体(CMOS)型。CMOS型图像传感器简称CIS。CIS包括二维布置的多个像素。每个单位像素区域包括用于将入射光转换成电信号的光电二极管。
发明内容
本公开的一个或更多个示例实施方式提供了能够输出具有改善的图像质量的图像的图像传感器。
根据一示例实施方式的方面,一种图像传感器可以包括:第一衬底,包括聚焦像素区域和在聚焦像素区域周围的像素区域,聚焦像素区域和像素区域中的每个包括至少一个光电转换区域;滤色器,分别提供在聚焦像素区域和像素区域上,并提供在第一衬底的第一表面上;以及微透镜,分别提供在滤色器上。微透镜可以包括在聚焦像素区域上的自动聚焦透镜、与自动聚焦透镜相邻的第一微透镜、以及与自动聚焦透镜间隔开的标准微透镜。自动聚焦透镜可以具有第一高度,第一微透镜可以具有第二高度,标准微透镜可以具有第三高度,第二高度与第三高度之间的差值可以小于第一高度与第三高度之间的差值。
根据一示例实施方式的方面,一种图像传感器可以包括:衬底,包括聚焦像素区域和在聚焦像素区域周围的像素区域,聚焦像素区域和像素区域中的每个包括至少一个光电转换区域;滤色器,分别提供在聚焦像素区域和像素区域上;以及微透镜,分别提供在滤色器上。微透镜可以包括在聚焦像素区域上的自动聚焦透镜、与自动聚焦透镜的第一边缘相邻的第一微透镜、与自动聚焦透镜的第二边缘相邻的第二微透镜、以及与自动聚焦透镜间隔开的标准微透镜。自动聚焦透镜可以具有第一高度,第一微透镜可以具有第二高度,第二微透镜可以具有第三高度,标准微透镜可以具有第四高度,第二高度可以大于第四高度并且小于第一高度,第三高度可以小于第四高度。
根据一示例实施方式的方面,一种图像传感器可以包括电路芯片和堆叠在电路芯片上的图像传感器芯片。图像传感器芯片可以包括:第一衬底,具有彼此相对的第一表面和第二表面,并包括提供在其中的光电转换区域;隔离图案,提供在第一衬底中并且在光电转换区域之间;绝缘层,覆盖第一表面;滤色器,在绝缘层上;栅栏图案,在滤色器之间;微透镜,分别提供在滤色器上;器件隔离图案,与第二表面相邻地提供以限定有源区;栅极图案,在第二表面上;以及第一互连层,在第二表面上。电路芯片可以包括提供有集成电路的第二衬底和在第二衬底上的第二互连层。第一互连层和第二互连层可以被提供为彼此面对并且可以彼此电连接。微透镜可以包括在聚焦像素区域上的自动聚焦透镜、与自动聚焦透镜相邻的第一微透镜、以及与自动聚焦透镜间隔开的标准微透镜。自动聚焦透镜可以具有第一高度,第一微透镜可以具有第二高度,标准微透镜可以具有第三高度,第二高度与第三高度之间的差值可以小于第一高度与第三高度之间的差值。
附图说明
通过参照附图描述某些示例实施方式,以上和/或其它方面将更加明显,附图中:
图1是示出根据一示例实施方式的图像传感器的像素的电路图;
图2是示出根据一示例实施方式的图像传感器的平面图;
图3是沿着图2的线I-I'截取的截面图;
图4是沿着图2的线I-I'截取以示出根据一示例实施方式的图像传感器的截面图;
图5是示出根据一示例实施方式的微透镜的一部分(例如,图2的部分M)的平面图;
图6A是沿着图5的线I-I'截取的截面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的