[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包括：衬底，其包括有源区域；在衬底上并排延伸的第一位线结构和第二位线结构；存储节点接触件，其在第一位线结构与第二位线结构之间电连接到有源区域；下着陆焊盘，其位于第一位线结构与第二位线结构之间并且位于存储节点接触件上；上着陆焊盘，其与第一位线结构接触并且电连接到下着陆焊盘；以及封盖绝缘层。与第一位线结构接触的上着陆焊盘的下表面包括水平分离距离从相邻的封盖绝缘层起在朝向衬底的方向上增大的部分，并且与下着陆焊盘接触的封盖绝缘层的下表面包括水平分离距离从相邻的上着陆焊盘起在朝向衬底的方向上增大的部分。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年11月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0145475的优先权的权益，该申请的公开内容以引用方式全部并入本文中。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置。

背景技术

由于电子工业的进步和用户需求，电子装置的尺寸已经变得更小，性能变得更高。因此，越来越希望用于电子装置中的半导体装置提高集成度并提高性能。为了制造大规模半导体装置，越来越需要形成稳定连接以将相邻的导电结构彼此连接同时还降低导电结构之间的电阻的接触技术。

发明内容

本公开的各方面提供了具有改善的电特性和可靠性的半导体装置。

根据一些示例实施例，半导体装置包括：衬底，其包括第一有源区域和第二有源区域；位线结构，其在衬底上在一个方向上延伸，并且电连接到第一有源区域；存储节点接触件，其位于位线结构的侧壁上，并且电连接到第二有源区域；间隔件结构，其位于位线结构与存储节点接触件之间；下着陆焊盘，其位于存储节点接触件上，并且与间隔件结构的侧壁接触；上着陆焊盘，其位于位线结构、间隔件结构和下着陆焊盘上，以电连接到下着陆焊盘；封盖绝缘层，其设置在下着陆焊盘上，并且与上着陆焊盘的侧壁接触；以及电容器结构，其位于封盖绝缘层上，并且电连接到上着陆焊盘。上着陆焊盘包括：第一区域，其在竖直方向上与位线结构重叠；以及第二区域，其在竖直方向上与下着陆焊盘重叠，并且第二区域的下端比第一区域的下端更靠近衬底。

根据一些示例实施例，半导体装置包括：衬底，其包括有源区域；在衬底上并排延伸的第一位线结构和第二位线结构；存储节点接触件，其在第一位线结构与第二位线结构之间电连接到有源区域；下着陆焊盘，其设置在第一位线结构与第二位线结构之间并且位于存储节点接触件上；上着陆焊盘，其与第一位线结构接触，并且电连接到下着陆焊盘；以及封盖绝缘层，其与第二位线结构、上着陆焊盘和下着陆焊盘接触。与第一位线结构接触的上着陆焊盘的下表面包括水平分离距离从相邻的封盖绝缘层起在朝向衬底的方向上增大的部分，并且与下着陆焊盘接触的封盖绝缘层的下表面包括水平分离距离从相邻的上着陆焊盘起在朝向衬底的方向上增大的部分。

根据一些示例实施例，半导体装置包括：衬底，其包括至少两个第一有源区域和至少两个第二有源区域；至少两条位线，其彼此间隔开，并且在衬底上并排延伸，并且分别电连接到至少两个第一有源区域；至少两个位线封盖图案，其分别设置在至少两条位线上；间隔件结构，其位于位线的侧壁和位线封盖图案的侧壁上；至少两个存储节点接触件，其位于间隔件结构之间，并且分别电连接到至少两个第二有源区域；下着陆焊盘，其分别位于存储节点接触件上；上着陆焊盘，其分别电连接到下着陆焊盘；以及封盖绝缘层，其位于上着陆焊盘之间，并且具有与间隔件结构的上表面接触的下端。上着陆焊盘中的至少一些包括：第一区域，其与位线封盖图案接触，并且具有从上表面起处于第一竖直深度处的下端；以及第二区域，其与下着陆焊盘接触，并且具有从上表面起处于大于第一竖直深度的第二竖直深度处的下端。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更加清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征和优点。

图1是根据一些示例实施例的半导体装置的示意性布局图。