[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底，其包括第一有源区域和第二有源区域；

位线结构，其在所述衬底上在一个方向上延伸，并且电连接到所述第一有源区域；

存储节点接触件，其位于所述位线结构的侧壁上，并且电连接到所述第二有源区域；

间隔件结构，其位于所述位线结构与所述存储节点接触件之间；

下着陆焊盘，其位于所述存储节点接触件上，并且与所述间隔件结构的侧壁接触；

上着陆焊盘，其位于所述位线结构、所述间隔件结构和所述下着陆焊盘上以电连接到所述下着陆焊盘；

封盖绝缘层，其位于所述下着陆焊盘上，并且与所述上着陆焊盘的侧壁接触；以及

电容器结构，其位于所述封盖绝缘层上，并且电连接到所述上着陆焊盘，

其中，所述上着陆焊盘包括在竖直方向上与所述位线结构重叠的第一区域和在所述竖直方向上与所述下着陆焊盘重叠的第二区域，并且

其中，所述第二区域的下端比所述第一区域的下端更靠近所述衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述上着陆焊盘具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，

其中，所述第一区域和所述第二区域分别包括所述第一侧壁和所述第二侧壁，并且

其中，所述上着陆焊盘的在所述上着陆焊盘的下部中将所述第一侧壁和所述第二侧壁彼此连接的下表面包括第一部分，在所述第一部分中，所述上着陆焊盘的竖直深度在朝向所述下着陆焊盘的方向上增大。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述上着陆焊盘的下表面的所述第一部分包括至少一个斜坡部分和/或弯曲部分，其中，所述第一部分与所述位线结构接触，并且其中，所述第一部分连接到所述第一侧壁。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述上着陆焊盘的下表面还包括与所述下着陆焊盘接触的第二部分。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述上着陆焊盘的下表面的所述第二部分包括至少一个斜坡部分和/或弯曲部分，并且其中，所述第二部分连接到所述第二侧壁。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述下着陆焊盘和所述上着陆焊盘中的每一个包括多晶硅、钛、钽、钨、钌、铜、钼、铂、镍、钴、铝、氮化钛、氮化钽和氮化钨中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述上着陆焊盘具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，并且其中，所述封盖绝缘层的下表面连接到所述封盖绝缘层的与所述上着陆焊盘的第二侧壁接触的侧壁，并且包括水平分离距离从所述上着陆焊盘起在向下方向上增大的第一部分。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述封盖绝缘层的下表面的所述第一部分与所述下着陆焊盘接触。

9.一种半导体装置，包括：

衬底，其包括有源区域；

第一位线结构和第二位线结构，它们在所述衬底上并排延伸；

存储节点接触件，其在所述第一位线结构与所述第二位线结构之间电连接到所述有源区域；

下着陆焊盘，其位于所述第一位线结构与所述第二位线结构之间并且位于所述存储节点接触件上；

上着陆焊盘，其与所述第一位线结构接触，并且电连接到所述下着陆焊盘；以及

封盖绝缘层，其与所述第二位线结构、所述上着陆焊盘和所述下着陆焊盘接触，

其中，与所述第一位线结构接触的所述上着陆焊盘的下表面包括水平分离距离从相邻的封盖绝缘层起在朝向所述衬底的方向上增大的部分，并且

其中，与所述下着陆焊盘接触的所述封盖绝缘层的下表面包括水平分离距离从所述相邻的上着陆焊盘起在朝向所述衬底的方向上增大的部分。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述上着陆焊盘的最下部与所述下着陆焊盘接触。