[发明专利]一种晶体生长装置及方法有效
| 申请号： | 202111205374.3 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113930838B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 王宇;顾鹏;梁振兴 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/30 | 分类号： | C30B15/30 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 李兴洲 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 装置 方法 | ||
1.一种晶体生长方法，其特征在于，所述晶体生长方法通过晶体生长装置实现，其中，
所述晶体生长装置包括：
生长腔体，用于放置晶体生长的原料；
加热组件，用于加热所述生长腔体，以提供晶体生长所需的热量：
运动组件，所述运动组件包括旋转部件，所述旋转部件与所述生长腔体传动连接以带动所述生长腔体偏心旋转，其中，所述旋转部件包括：
套筒，至少部分套设于所述生长腔体外周；
旋转杆，与所述套筒连接并带动所述生长腔体的偏心旋转，所述旋转杆可移动连接于所述套筒底部，以使所述生长腔体的所述偏心旋转的偏心距离可调节；
所述晶体生长方法包括：
将晶体生长的原料置于所述生长腔体内；
加热所述生长腔体，以提供所述晶体生长所需的热量；
在所述晶体生长过程中，当晶体生长速率低于速率阈值时，通过所述旋转部件带动所述生长腔体偏心旋转。
2.如权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述生长腔体偏心旋转的偏心距离位于所述生长腔体直径的1％～20％的范围内。
3.如权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述运动组件还包括升降部件，所述升降部件与所述生长腔体传动连接以带动所述生长腔体上升或下降。
4.如权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述晶体生长方法还包括：
当所述晶体生长速率低于所述速率阈值时，调节所述旋转部件的偏心旋转参数，所述偏心旋转参数包括偏心距离或旋转速率中的至少一个。
5.如权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述晶体生长方法还包括：
当所述晶体生长速率低于所述速率阈值时，调节所述运动组件中的升降部件的升降参数，所述升降参数包括升降速率或升降距离中的至少一个。
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