[发明专利]半导体封装结构及其形成方法

说明书

本发明的实施例提供了一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：基板；位于基板上方的重布线(RDL)层；连接基板和重布线层的黏着层，其中黏着层的抗化性小于0.5％。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种半导体封装结构及其形成方法。

背景技术

在扇出基板(FOSub)封装结构中，包括诸如重布线(RDL)层的扇出(Fan-out)结构和基板，扇出结构通过黏着层附接在基板上。其中，接合扇出结构和基板的黏着层起着关键作用。黏着层必须具有可以抵抗凸块制程和基板制程中所有化学试剂的化学抗性。并且，黏着层在经过高压高热制程中也不能发生质变。同时还要求黏着层材料具有一定程度的透明度并且此材料在常温下必须具有黏性。因此，开发一种能满足上述要求的黏着层材料用以制造扇出基板结构来降低制作时间和生产成本以获得更高利润是必要的。

发明内容

针对相关技术中的上述问题，本发明提出一种半导体封装结构及其形成方法。

本发明的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：基板；重布线层，位于基板上方；黏着层，基板和重布线层通过黏着层连接，其中，黏着层的抗化性小于0.5％。

在上述半导体封装结构中，黏着层的材料为纯树脂。

在上述半导体封装结构中，黏着层的材料包括树脂和填充物(filler)。

在上述半导体封装结构中，填充物为玻璃纤维。

在上述半导体封装结构中，黏着层的光穿透率在50％至99％的范围内。

在上述半导体封装结构中，黏着层的杨氏模量小于1GPa。

在上述半导体封装结构中，黏着层的厚度在10μm至60μm的范围内。

在上述半导体封装结构中，黏着层为液态型。

在上述半导体封装结构中，黏着层为膜型。

在上述半导体封装结构中，黏着层的热膨胀系数Z满足下式：

1≤Z/Y≤3，其中，Y表示聚酰亚胺材料的热膨胀系数。

在上述半导体封装结构中，黏着层的热膨胀系数Z还满足下式：

1≤Z/X≤12，其中，X表示聚丙烯材料的热膨胀系数，并且5≤X≤300。

本发明的实施例还提供了一种形成半导体封装结构的方法，包括：在基板上形成黏着层；通过黏着层将重布线层附接在基板上方；形成穿过重布线层和黏着层的开孔；在开孔中电镀晶种层以在开孔形成通孔，其中，黏着层的抗化性小于0.5％。

在上述方法中，将重布线层附接在基板上方，包括：将通过释放层附接在载体上的重布线层附接到基板；去除载体而暴露释放层；利用化学品去除释放层。

在上述方法中，在去除释放层之后，还包括：对重布线的远离基板的表面进行蚀刻处理。

在上述方法中，黏着层的材料为纯树脂。

在上述方法中，黏着层的材料包括树脂和填充物。

在上述方法中，黏着层的光穿透率在50％至99％的范围内。

在上述方法中，黏着层的杨氏模量小于1GPa。

在上述方法中，黏着层为液态型或膜型。

在上述方法中，黏着层的热膨胀系数Z满足下式：

1≤Z/Y≤3，1≤Z/X≤12，5≤X≤300，

其中，X表示聚丙烯材料的热膨胀系数，Y表示聚酰亚胺材料的热膨胀系数。

附图说明