[发明专利]半导体封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202111193654.7 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN114068477A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
基板；
重布线层，位于所述基板上方；
黏着层，所述基板和所述重布线层通过所述黏着层连接，其中，所述黏着层的抗化性小于0.5％。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层的材料为纯树脂。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层的材料包括树脂和填充物。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层的光穿透率在50％至99％的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层的杨氏模量小于1GPa。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层的厚度在10μm至60μm的范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层为液态型。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层为膜型。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层的热膨胀系数Z满足下式：
1≤Z/Y≤3，
其中，Y表示聚酰亚胺材料的热膨胀系数。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述黏着层的热膨胀系数Z还满足下式：
1≤Z/X≤12，
其中，X表示聚丙烯材料的热膨胀系数，并且5≤X≤300。
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